本发明公开了一种具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器，包括：传感器前端电路，用于在控制电路产生的控制信号的作用下产生与温度相关的电压信号，并将该与温度相关的电压信号输出给双精度sigma-delta?ADC；双精度sigma-d...

一种多晶硅碱性制绒方法，包括以下步骤：1)配制碱性制绒液；2)将配制好的制绒液加热，然后取一片多晶硅浸泡于制绒液中，进行制绒；3)对制绒后的多晶硅片漂洗；4)漂洗后酸洗，再进行二次漂洗；5)将二次漂洗后的多晶硅片甩干，完成多晶硅碱性制绒...

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化...

一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构，该倒装焊结构包括：一金属热沉；一导热绝缘层，该导热绝缘层制作在金属热沉上；一金属图形层，该金属图形层制作在导热绝缘层的表面，该金属图形层具有两个或两个以上分区；一半导体器件芯片，该半导体器件芯片焊接...

一种电控可调谐光子晶体波分复用器，包括：一薄金属透明电极层；一聚合物层，位于薄金属透明电极层的下方；一顶层硅层，该顶层硅层的上面开有光子晶体孔阵列，该顶层硅层位于聚合物层的下方；一二氧化硅层，为环状结构，位于顶层硅层下面的四周，使二氧化...

一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法，包括：在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层；在InP帽层上生长SiO2保护层；在SiO2保护层的中间光刻出...

一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角...

本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法，该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合，提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面...

本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法，该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用，来...

本发明公开了一种利用Au表面等离激元增强有机聚合物太阳能电池效率的方法，在电池的PEDOT:PSS空穴传输层掺入一定尺寸和浓度的Au纳米颗粒。Au纳米颗粒利用湿化学法合成，通过氯金酸和柠檬酸钠反应得到Au纳米颗粒，并分散在水溶性溶剂中。...

一种硅基延时可调光延迟线，包括：一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与...

一种共面波导硅基电光调制器，包括：一输入波导；一第一分束器，该第一分束器的输入端与输入波导相连接；一第一调制臂，该第一调制臂的一端与第一分束器输出端连接；一第二调制臂，该第二调制臂的一端与第一分束器输出端连接；一硅基光延迟线器件，该硅基...

本发明公开了一种用于高速铁路道岔的具有自检测功能的心轨，包括：异形轨(10)，用于作为轨道列车行驶的轨道并安放光纤(20)；安装于异形轨(10)尖部下方的至少一根光纤(20)，用于感受异形轨(10)的变形和裂纹情况；光纤磨耗传感器(30...

一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘ＧａＡｓ衬底或者半绝缘Ｓｉ衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，...

本发明公开了一种用于测量低波数拉曼信号的单光栅拉曼光谱测试系统，包括：激光源；体光栅带通滤光片，位于激光光路上，用于过滤掉激光的等离子线而纯化激光线；分束器，位于体光栅带通滤光片将激光反射后的光路上，将经体光栅带通滤光片纯化的激光反射到...

一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作...

一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻...

一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上...

本发明公开了一种用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法，该方法包括：制作盖片；以及将制作的盖片与器件芯片进行圆片级键合。本发明提出利用电磁力将微纳尺度的金属线导入微孔中来实现高质量可靠的三维电学连接，损耗低，寄生效应小；采用局域加热技术...

一种避免激光晶体结露的水冷控制方法，包括如下步骤：步骤1：首先开启控制水温系统程序；步骤2：控制水温系统程序自动检测空气的温度、湿度和冷却水的初始温度，并存入程序的环境状态参数中；步骤3：在控制水温系统程序中输入工作状态参数；步骤4：运...