一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长...

一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用M...

一种检测高功率激光光路中激光是否偏向的方法，包括如下步骤：步骤1：选取一光阑，该光阑的中间有一通光孔；步骤2：在光阑的通光孔的周围环绕安装一圈热敏电阻丝；步骤3：将该光阑安置在预定通光方向的光路上；其中当激光未偏离预定方向时能量会完全通...

本发明公开了一种基于微环谐振器的二进制光学加法器。该二进制光学加法器由两个不同结构的微环谐振器和一个Y型分支耦合器构成，它有两个待计算的电脉冲序列输入，输出是两个光脉冲序列。本发明二进制光学加法器利用现成的工艺技术，使得器件体积小，功耗...

本发明公开了一种用于振动检测的外差调制方法，包括：步骤1：入射光束经过分束器被分成两束光，一束为参考光，一束为信号光；步骤2：参考光依次经过电光调制器和准直镜进入分光棱镜；信号光直接透过分光棱镜和光学天线照射到振动物体，经由振动物体反射...

一种广谱高吸收的太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙...

一种用于金属有机气相沉积设备的进气喷头，包括：多个进气管路；一上层板，该上层板为圆盘状；一外壳体，该外壳体为圆筒状，位于上层板的下面；一下层板，该下层板为圆盘状，位于外壳体的下面；气体分配管路，位于下层板上面、外壳体内部，多个进气管路穿...

一种InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，包括：一衬底；一缓冲欧姆接触层，制作在衬底上；一第一二类超晶格层，制作在缓冲欧姆接触层上，使缓冲欧姆接触层上面的两侧形成台面；一本征二类超晶格光吸收层，制作在第一二类超晶格层上；一第二二类超晶...

一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然...

一种频谱可塑的光载超宽带无线电信号发生器，包括：一窄脉冲激光光源，和依次连接的光放大器、第一偏振控制器、第一光耦合器、非线性光电器件、第三偏振控制器、光带通滤波器、偏振分束器、可调光延迟线、第二光耦合器和高速光探测器，一连续光半导体激光...

本发明公开了一种语音检测系统。本发明语音检测系统基于多普勒干涉的M_Z干涉仪设计，通过声光调制来实现光学频率调制，从而将待测语音信号与低频环境扰动信号相分离，进而通过正交锁相解调法实现语音信号的解调输出，具有光学结构简单、非线性误差较小...

一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域...

本发明公开了一种语音检测系统。本发明通过在迈克尔逊干涉仪的参考臂上加入压电陶瓷(PZT)进行光学调制，周期性地改变参考光和信号光的光程差，从而实现相位调制。光电探测器将干涉信号转化为电信号并送入数据采集卡，采样数据通过数字PGC(相位生...

一种频带可调谐的光载超宽带无线电信号发生器，包括：激光光源；2×2高速光开关的端口1与激光光源连接；可调光延迟线一端与2×2高速光开关的端口4连接；可调光衰减器一端与可调光延迟线的另一端连接；光强度调制器的光端口1与2×2高速光开关的端...

本发明公开了一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法，包括：在铁电晶体材料的+z面蒸镀透明电极；将该蒸镀有透明电极的铁电晶体材料的+z面与另一铁电晶体材料的+z面进行键合，得到复合铁电晶体；在该复合铁电晶体上下两面均蒸镀金属电极，然后对...

一种直角三叉结构光阑，包括：一直角基体，在其两端部分别开有弹簧孔，与该两弹簧孔垂直分别开有固定螺孔，在直角基体两端部下方分别开有第一光阑高度孔和第二光阑高度孔；两弹簧，该两弹簧分别置于弹簧孔中；一第一光阑组合，包括一光阑和螺杆，该螺杆插...

一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意...

一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长...

一种基于微环谐振器的低损耗低串扰四端口无阻塞光学路由器，其中该第一输出光波导与第一输入光波导之间通过第一微环谐振器耦合；该第一输入光波导与第二输出光波导之间通过第二微环谐振器耦合；该第二输出光波导与第二输入光波导之间通过第三微环谐振器耦...

一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧...