本发明公开了一种用于太阳能电池的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法及该方法制备的非晶硅薄膜中间带材料，所述包括以下步骤：选择衬底的材料并对衬底进行预处理；在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜；对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。本发明...

一种与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长电热绝缘材料层、相变材料层和牺牲材料层；通过光刻和干法刻蚀的方法，形成制备侧墙的台阶；淀积侧墙材料层保形覆盖样品上表面；干法回刻侧墙材料层，去除侧墙材料层，形成高和宽...

一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长...

一种具有可调陷波特性的混沌光载超宽带无线电信号发生器，包括：连续光半导体激光器和与之连接的第一偏振控制器、光偏振调制器、第二偏振控制器、光放大器、偏振分束器、可调光衰减器、可调光延迟线、光耦合器、光电探测器、增益可调电放大器、功分器、光...

一种基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器，包括：第一连续光半导体激光器、第一偏振控制器、电光强度调制器、微波信号源、第二连续光半导体激光器、第二偏振控制器、光放大器、第三偏振控制器、光耦合器、非线性光电器件、带通滤波器、偏振分束器、光...

一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使...

一种在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法，包括如下步骤：取一碳化硅半导体薄膜，该碳化硅半导体薄膜包括衬底和外延层；在碳化硅半导体外延层上生长一层硅薄膜；在硅薄膜上采用光刻技术获得图形；在图形化的硅薄膜的两侧进行离子注入，形成P阱或...

一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制...

一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝Ga...

一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：在外延结构上制备透明导电电极；将外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；减薄、抛光；制备二氧化硅保护层；从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬...

一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步...

一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交...

一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端...

一种基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生...

本发明公开了一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法，该系统包括：一全息曝光系统，用于材料表面光刻胶光栅的制备；一反应离子刻蚀设备，用于实现光刻胶光栅到GaSb材料系中的光栅转移。本发明提供的这种制备GaSb基DFB激光器中光...

本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb?Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的In...

本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型...

一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积I...

一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4...

一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在...