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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
3-LCOS激光投影显示照明光学系统技术方案
本发明公开了一种具有集成面光源模块的3-LCOS激光投影显示照明光学系统,该系统包括红、蓝、绿三条光路,且该红、蓝、绿三条光路是由两条独立光路构成,其中红光光源发出的光是经过一独立光路将所需光斑投射到LCOS芯片上,蓝、绿光源发出的光共...
利用光纤技术对重力加速度进行测量的系统及方法技术方案
本发明公开了一种利用光纤技术对重力加速度进行测量的系统及方法,该系统包括光纤光源系统、迈克尔逊干涉系统、法布里-珀罗干涉系统、真空系统及数据采集处理系统。由迈克尔逊干涉系统测量真空系统中运动直角棱镜的运动距离;由法布里-珀罗干涉系统实时...
光纤陀螺用集成光学收发模块制造技术
本发明一种光纤陀螺用集成光学收发模块,包括:一光纤线圈;一双Y型波导集成光学器件,包括第一输入端、一第二输入端、一第一输出端和一第二输出端,其中第一输入端用于与超辐射发光二极管光源的输出端连接,其第二输入端用于与光电探测器的输出端连接;...
一种快速射频微机械开关制造技术
本发明公开了一种快速射频微机械开关,包括复合悬臂梁、驱动下电极、射频传输线和高阻硅衬底,复合悬臂梁是由上下两层介质层和中间的金属层构成的三明治结构,该快速射频微机械开关采用inline排布,复合悬臂梁位于驱动下电极的正上方,平行于射频传...
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法技术
一种ZnO纳米棒发光二极管,包括:一衬底;一p-GaN层,该p-GaN层制作在衬底上;一ZnO纳米棒阵列,该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧,另一侧为台面;一石墨烯层,该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上;一上电极,该上电极制...
大面积有序可控表面增强拉曼活性基底的制备方法技术
一种大面积有序可控表面增强拉曼活性基底的制备方法,包括如下步骤:步骤1:使用电子束蒸发技术,在一洁净衬底表面沉积金属薄膜;步骤2:在金属薄膜上旋涂光刻胶并前烘;步骤3:采用全息干涉曝光技术,得到图形化的光刻胶掩膜板,从而形成由衬底、金属...
采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法技术
一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层,该氧化锌掺铝层为阴极;步骤2:在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧,旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物,形成光敏层;...
纳米氮化镓发光二极管的制作方法技术
一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:取一衬底;在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层,形成基片;在基片的p-GaN层上生长中间层;在中间层生长纳米图形层;以纳米图形层作掩膜,采用ICP-RI...
一种光纤干涉型传感信号解调的系统及方法技术方案
本发明公开了一种光纤干涉型传感信号解调的系统及方法。该系统包括:模数转换模块,用于分别对输入的载波信号和光纤干涉信号进行模拟数字转换,生成第一数字采样结果和第二数字采样结果;滤波器模块,用于对模数转换模块输出的第一数字采样结果及其倍频和...
聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法技术
一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池,包括:一Al/Si合金背电极;一p+背接触层,位于Al/Si合金背电极的上面;一p型晶硅材料层,位于p+背接触层的上面;一n+接触层,位于p型晶硅材料层的上面,该n+接触层的上面开有硅纳米孔阵列;一S...
对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法技术方案
本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时,原位进行光、电、热综合测试的系统及方法。此检测系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号...
量子点级联激光器制造技术
本发明公开了一种量子点级联激光器,包括下波导、量子点有源区层以及上波导,所述量子点有源区层是多周期级联的,其每个周期包括:多个量子阱/垒对,用于对其能带结构进行调整,以提供电子的量子输运通道;量子点插层,用于实现量子点参与子带激射。并且...
碳化硅材料腐蚀炉制造技术
一种碳化硅材料腐蚀炉,包括:一主体加热炉,为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体,内壁面有隔热材料,外壁面为不锈钢材料,耐热陶瓷内埋设有电炉丝;一镍质炉盖,位于主体加热炉的开口上方;一镍坩埚,位于主体加热炉内;一镍篮旋转装置,位于主体加热...
大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法技术
一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上生长中间层;步骤4:在中间层上生长纳米图形层;步骤5:采用等离子体刻蚀的方法,刻蚀中间层...
纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法技术
一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板;步骤4:在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层...
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法技术
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明,既能提高AlxGa(1-...
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法技术
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层;旋涂光刻胶作为牺牲层,光刻,形成条形的光刻胶掩模;通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面,使第一功能材料层形成条...
一种多读单写片内存储器制造技术
本发明公开了一种多读单写片内存储器,包括一个写地址译码器、d(d>1)个门控时钟逻辑电路、第一级d个主锁存器、n个d输入级间传输电路、第二级n个从锁存器、读数据输出通路、以及一个读地址译码及相同地址判断模块,其中,如果所述第一级d个主锁...
晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法技术
一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法,包括:步骤1:在绝缘的衬底上通过光刻,电子束蒸发方法制作图形金属电极;步骤2:在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球,该金球为间隔设置,将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置;步骤3:通过打线...
将多单元半导体激光器与光纤的耦合系统技术方案
一种将多单元半导体激光器与光纤的耦合系统,包括:第一组半导体激光器;第一组微型快轴准直镜,位于第一组半导体激光器的出光光路上;第一组镀高反膜叠层基片反射镜,位于第一组微型快轴准直镜的光路上;第二组半导体激光器;第二组微型快轴准直镜,位于...
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