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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器制造技术
本发明公开了一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第二1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、...
一种同时输出纳秒和皮秒脉冲的激光器制造技术
本发明公开了一种同时输出纳秒和皮秒脉冲的激光器,包括信号源、信号隔离系统和放大器,通过腔外普克尔盒和腔内普克尔盒联合的电光控制技术,实现有信号光导入情况下的再生放大过程,获得高能皮秒激光输出;和没有信号光导入的情况下的腔倒空过程,获得纳...
GaN基LED网孔电极的制作方法技术
一种GaN基LED网孔电极的制作方法,包括以下步骤:1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜;2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球;3)加热,使自组装球与ITO膜结合牢固;4)采用ICP方法,刻蚀自组装球,经过刻蚀后,自组装球...
具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片制造技术
一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片,包括:一衬底;一AlN模板层,其生长在衬底上;一N型AlGaN层,其生长在AlN模板层上;一多量子阱的有源区,其生长在N型AlGaN层上;一电子阻挡层,其生长在多量子阱的有源区上;一P型过...
利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法技术
一种利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法,包括:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓基外延层;在氮化镓基外延层上沉积金属层;将外延结构和金属层转移到衬底上,外延结构、金属层和衬底组成外延片;用机械研磨方法,将蓝...
基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法技术
一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法,包括:在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球;刻蚀、加热、蒸镀金属层;去除自组装PS球表面的金属层,形成网孔状金属层;加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层;刻蚀网孔状金...
纳米柱发光二极管的制作方法技术
一种纳米柱发光二极管的制作方法,包括:在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球;采用加热和ICP的方法,刻蚀聚苯乙烯球;采用加温处理,使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷,把点接触变成面接触;...
基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器制造技术
本发明公开了一种基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器,该4×4二进制发生器具有一个周期排布四方晶格的磁光光子晶体介质柱结构,该磁光光子晶体介质柱被分成5×5的区域,在不同的区域施加沿着介质柱的+z或者-z磁场,通过调节不同区域的磁场,对...
双层光学滤色结构制造技术
本发明公开了一种双层光学滤色结构,包括:具有周期性圆孔的金属银层,该周期性圆孔构成圆孔阵列;以及位于该金属银层正上方的由金属银构成的圆环阵列,该圆环阵列正对于该圆孔阵列。本发明提供的基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色...
基于悬臂梁的双光栅光纤矢量加速度计制造技术
本发明公开了一种基于悬臂梁的双光栅光纤矢量加速度计,包括外壳、第一小孔、第一光纤光栅、第二光纤光栅、第二小孔、质量块、悬臂梁和支座,其中外壳用于作为该光纤矢量加速度计的支撑结构,在该外壳相邻的两个侧壁上开有第一小孔和第二小孔,第一小孔用...
在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法技术
一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法,包括如下步骤:1)选择一钛酸锶衬底;2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜;3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比,调节BiFeO3外延薄...
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法技术
一种沟道型碳化硅肖特基二极管,包括:一外延片,具有上、下表面,该外延片的上面向下开有一沟道,该沟道内的底部注入有P型离子,在该沟道的底部形成P+区;一氧化膜层,制作在外延片沟道的内壁面上,该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米;一多晶硅层...
制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法技术
一种制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法,包括:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层,氮化镓LED层包括非故意掺杂氮化镓层,N型氮化镓层,量子阱层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层上沉积金属层;将外延结构和...
用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法技术
一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法,包括如下步骤:1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球;2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶;3)加热,将聚苯乙烯球气化,形成二氧化硅纳米碗阵列,该二...
一种距离选通激光夜视智能调焦装置制造方法及图纸
本发明公开了一种距离选通激光夜视智能调焦装置,该装置是采用上位机与下位机通信的方式进行焦距控制,包括上位机智能控制系统和下位机智能控制电路,其中:上位机智能控制系统,用于通过人机交互界面对光学发射系统和接收系统的焦距进行实时显示和实时控...
光纤深井地声仪制造技术
本发明公开了一种光纤深井地声仪,该光纤深井地声仪包括:柱形壳体,用于保护光纤深井地声仪的内部结构,并起到传递地声信号的作用;安装于柱形壳体内部的支座,用于光纤深井地声仪传感单元的安装,并起到传递地声信号的作用;安装于支座上的至少一支光纤...
基于光延迟的门控荧光寿命成像装置制造方法及图纸
一种基于光延迟的荧光寿命成像装置,包括:一激光器;一样品台位于激光器的出光光路上;一分束镜位于样品台的出光光路上;一第一耦合透镜位于分束镜的反射光路上;一反射镜位于分束镜的透射光路上;一第二耦合透镜位于反射镜的反射光路上;一第一光纤成像...
基于光纤传感测量公路路面表层水膜厚度的方法技术
本发明公开了一种基于光纤传感测量公路路面表层水膜厚度的方法,其特征在于,包括:激光器LD发出的激光信号经过发射光纤传输进入待测路面平面,在路面水膜与空气分界面处发生反射;反射后的激光信号分别通过第一接收光纤和第二接收光纤进入第一光探测器...
ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法技术
本发明公开了一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法,包括:采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶;按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂;ZnO体单晶表面...
一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法技术
本发明公开了一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法,包括化料、引晶和晶体生长三个阶段,该方法在化料及引晶阶段采用电压控制方式,在晶体生长阶段采用功率控制方式。本发明通过双重控制技术,在晶体生长的各种情况下,对生长进行控制和干预,将有效...
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