一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其制作在衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上面的一侧，宽度小于载流子注入层的宽度，使载流子注入层形成一台面；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一下金属电极，...

一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上...

一种基于SOBI及FastICA的同频信号相位差测量方法，包括如下步骤：步骤1：将被测信号x(n)扩展成3维观测信号矩阵X(n)；步骤2：对观测信号矩阵X(n)运行一次排序的无迭代式SOBI算法，得到分离矩阵W1；步骤3：将W1作为分离...

本发明提供了一种柔性掩模板的制备方法，包括：在衬底上生长SiO2层；在SiO2层上沉积聚合物层；在聚合物层上形成镂空掩模图形；将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液，SiO2层与该混合溶液反应，使形成镂空掩模...

一种在硅片上制作八边形微孔的方法，包括如下步骤：步骤1.取一取向为(100)型的硅片；步骤2.采用脉冲激光辐照的方法，在硅片上形成微孔；步骤3.通过碱腐蚀工艺，将微孔腐蚀为八边形孔，该八边形孔的侧壁相隔出现金字塔结构和片层结构。本发明可...

本发明提供了一种分布式反馈激光器及其制备方法。该分布式反馈激光器，包括自下而上沉积于衬底上的以下各层：下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；分布式反馈激光器的中部两侧刻蚀有沟槽，沟槽的底部形成于欧姆接触层与有源区之...

本发明提供一种太阳能电池减反膜，包括：一太阳能电池片；一覆盖层，该覆盖层的材料为硅胶或树脂，该覆盖层制作在太阳能电池片上。本发明其可提高太阳能电池效率，降低电池成本。

本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；蒸镀透明电极，在...

本发明公开了一种光子晶体定向耦合波导分束器，包括：光子晶体波导耦合分束器，用于实现光的50/50分束；渐变耦合波导，用于实现输入波导和光子晶体波导耦合分束器之间的高效耦合；以及弯折波导，用于实现横向输入波导和斜向输入波导之间的连接。本发...

本发明公开了一种图像寻的激光成像测距方法及装置，首先采用非选通成像的方式对目标所处环境成像并输出数字全景图，实现图像寻的；然后开启测距功能，输出含目标的全景帧，用户完成目标选取后开启测距功能；在测距时序模式下，获得一背景帧，利用距离选通...

本发明提供了一种信号相位差测量的方法，包括：步骤A，由1维被测信号与两个1维标准正弦参考信号组成3维的观测信号矩阵X(n)，其中，被测信号包含单频正弦测试信号及噪声信号；步骤B，对观测信号矩阵X(n)运行第一次寻优迭代运算，得到3×3的...

本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫...

本发明公开了一种反射式局域表面等离子体共振增强生化检测仪，包括光源系统、光学探测系统、数据采集与处理系统、金属纳米结构传感阵列系统及微流体进样控制系统，其中该光源系统发出的光经该光学探测系统垂直照射到该金属纳米结构传感阵列系统中的集成微...

本发明公开了一种介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法。该介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片自下至上依次包括石英衬底、SiO2+TiO2双层光栅结构和微流通道，其中所述微流通道是扣置键合于该SiO2+TiO2双层光栅结构之上...

本发明公开了一种基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器，该生化传感器包括谐振腔、悬臂梁和惠斯特桥式检测电路，其中在该悬臂梁的自由端刻蚀有微柱结构(3)和储液槽(4)，并刻蚀有用于流出生化溶液的漏液孔(5)；该悬臂梁的支撑端连接于该惠斯...

本发明提供了一种基于法布里珀罗腔的光纤传感器，包括：探测光源；光纤法布里珀罗腔，位于探测光源的光路后端，其腔长随其所承受物理量的变化而变化，探测光在其两侧面多次反射形成干涉条纹，并从其远离探测光源的一端射出；光学探测器，位于光纤法布里珀...

本发明公开了一种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法，该装置包括：一支撑板(1)；一欧姆表(2)；两条连接导线(3)，该两条连接导线(3)分别连接在欧姆表(2)的两个接口；四个固定孔(4)，该四个固定孔(4)开在在支撑板(1)上，并...

一种掺杂半导体材料生长设备及方法，其中掺杂半导体材料的生长设备，包括：一生长室，该生长室用于维持生长所需环境；一衬底加热装置，该衬底加热装置位于生长室的中心部位，用于衬底的加热；一个或多个掺杂剂源，该掺杂剂源位于生长室的下方，用于提供一...

本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽...

一种形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入的制备方法，包括如下步骤：将金属有机盐试剂分散在第一有机溶剂中；上述含有金属有机盐的第一有机溶液在空气中磁力搅拌，同时升温，保持预定时间后，使得其中的金属有机盐全部溶解形成第一金属盐前躯体；将单质...