【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，其特征在于，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；蒸镀透明电极，在源漏电极之间光刻出栅条，其中同一行的栅条连在一起；在表面蒸镀绝缘层，并在外延片两端露出各行的源栅电极焊台；光刻并腐蚀绝缘层露出漏电极，然后蒸镀合金，并采用剥离技术使得同一列的漏电极连在一起；以及涂光刻胶，实现保护和表面钝化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：聂诚磊，杨晓红，王秀平，王杰，刘少卿，李彬，杨怀伟，尹伟红，韩勤，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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