本发明提供了一种线型腔光纤激光器，包括：泵浦激光器，用于产生泵浦激光；光热光源，用于产生加热光；信号发生器，用于产生控制信号；强度调制器，用于依照控制信号对加热光进行强度调制；合波器，用于将泵浦激光和进行强度调制后的加热光合波；有源谐振...

一种基于边入射光混频器的THz天线阵列，包括：一1×N分光器、N个边入射光混频器和N个THz天线，其中每一边入射光混频器的电极连接一个THz天线，每一边入射光混频器通过无源波导与1×N分光器相连接；其中频率之差等于THz频率的双模泵浦光...

一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入...

一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面...

一种半导体太阳电池表面的多层金属纳米颗粒结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体太阳能电池的表面生长一层第一介质膜；步骤2：在第一介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在金属纳米颗粒的上面再生长一层第二介质膜，并对第二介质膜进行平...

一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，其上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；一迎光面掩蔽层制...

一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构，包括：一钝化膜；一第一掺杂层，制作在钝化膜上的中间部位；一硅衬底，制作在第一掺杂层上的中间部位；一第二掺杂层，制作在硅衬底上，其长度大于衬底的长度，与第一掺杂层的长度相同；一钝化减反膜，制作...

本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高了制备的非极性G...

一种多孔高分子薄膜生物芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，清洗，去除有机和无机杂质；步骤2：前烘，对衬底进行真空干燥；步骤3：在经过真空干燥衬底的表面覆盖有机薄膜；步骤4：刻蚀有机薄膜，在有机薄膜上形成通孔阵列，得到多孔高分...

本发明公开了一种基于双L型梁的光纤光栅土压力传感器，包括：盒体，为饼状筒形结构，其顶部内表面具有直接感受外界土压力信号的一个承压膜片；安装于盒体内部的两个支撑轴；安装于两个支撑轴上的两个L型梁，每个L型梁均具有竖直方向部分和水平方向部分...

一种光纤干涉仪隔震隔声封装结构，包括：一下部结构；一中部结构，为圆形，该中部结构固定在下部结构上；一上部结构，固定在中部结构上，该上部结构包括一上部固定平板，在其上均匀装配有四个立柱，该每一立柱的上端一侧装配有定滑轮，四条弹性带，一端与...

一种固相-数字PCR芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一基片，去除表面有机及无机杂质，并进行真空干燥；步骤2：在基片正面生长牺牲层；步骤3：通过光刻工艺和刻蚀工艺将掩模图形转移到牺牲层上；步骤4：以牺牲层为掩膜，通过刻蚀工艺，在基...

一种微球分离筛选芯片，包括：一衬底，该衬底的中心开有一储液池；一流体通道，该流体通道为螺旋状，其制备在衬底的上面，该流体通道具有一进液口及多个出液口，该进液口与储液池连通，出液口设在螺旋状的流体通道末端；过滤柱阵列，该过滤柱阵列制备在流...

一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：选择一衬底；在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位区以及放大区位置...

本发明提供了一种集成光纤激光器，包括：冷却柱，包括呈中空柱形或中空台形的冷却柱主体，该冷却柱主体内部填充冷却液；泵浦模块，设置于冷却柱主体中空部的面上，与电源相连接，用于产生泵浦激光；增益光纤，缠绕于冷却柱主体的外表面上，其通过高反射光...

本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成...

本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为...

本发明提供了一种非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法，该非晶硅中间带电池包括：导电衬底；n型纳米线，形成于导电衬底上；非晶硅中间带层，形成于n型纳米线上；p型非晶硅层，形成于非晶硅中间带层上；透明导电薄膜层，形成于p型非晶硅层上。本发明中...

一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器...

一种改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法，包括如下步骤：在SOI片顶层硅层上制作均匀光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度不同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层之...