中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明公开了一种SOI基三维交叉波导及其制作方法,利用低温键合技术,在第一层SOI波导上制作多层高折射率波导,且第一路SOI波导的输入、输出部分分别和其上各层波导间构成高效的光学上行、下行耦合结构,顶层波导与第一层波导的第二路或更多路S...
  • 本发明公开了一种光纤声发射检测与定位系统,该系统包括:由多个光纤激光传感器串联而成的光纤激光传感器应变花;封装固定该多个光纤激光传感器并传递声发射信号的光纤激光传感器应变花底板;耦合该多个光纤激光传感器并传递声发射信号的声耦合剂;接收并...
  • 本发明公开了一种差动式光纤土压计,该差动式光纤土压计包括:压力盒(10),为中空的圆饼形结构;圆形的盒盖(20),设置于压力盒(10)的上端,密封压力盒(10);设置于压力盒(10)内部第一支撑柱(30)和第二支撑柱(31),二者与该差...
  • 本发明公开了一种测力式光纤流量计,该测力式光纤流量计包括:将该测力式光纤流量计与被测管道固接的外壳(10);安装于外壳(10)侧壁外部且两端均与外壳(10)内部密封联通的测量管(20);安装于测量管(20)内部在流体的压力下产生变形的测...
  • 本发明公开了一种光纤激光流量计,该光纤激光流量计包括:将该光纤激光流量计与被测管道固接的外壳(10);安装于该外壳(10)内部的固定梁(50);以及安装于该固定梁(50)以测量流体流量的光纤激光器(30)。利用本发明,解决了现有流量计影...
  • 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对衬底表面进行制绒;步骤3:对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入;步骤4:对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火,消除离子注入产生的晶格缺陷,完成制备。本...
  • 本发明公开了一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法,该装置包括:光源、第一透镜、待测样品、源表、第二透镜、单色仪、探测器组件和计算机,该计算机控制单色仪、源表和探测器组件,实现源表对直接带隙半导体材料制成肖特基势垒探测器样品的不...
  • 本发明公开了一种基于波登管的光纤流量计,包括:将该光纤流量计与被测管道固接的外壳;安装于该外壳内部用以产生涡街的涡街发生体;安装于该外壳内部且平行于流体流动方向用以感受涡街产生的振动的测量膜片;透过该外壳的侧壁且与该外壳密封固接用以将测...
  • 本发明公开了一种光纤激光涡街流量计,该光纤激光涡街流量计包括:将该光纤激光涡街流量计与被测管道固接的外壳(10);安装于该外壳(10)内部用以产生涡街的涡街发生体(50);以及安装于该涡街发生体(50)以测量涡街频率的光纤激光器(30)...
  • 一种LED平板显示单元的制备方法,包含如下步骤:步骤1:取一基板,在基板上制作电路和金属凸点;步骤2:采用倒装工艺,将多个LED芯片制作在基板上,缩小LED芯片之间的间距;该LED芯片与基板上的电路通过金属凸点实现电连接;步骤3:取一驱...
  • 一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法,包括:取一氮化镓基发光二极管外延片;在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层;在ITO层上淀积一层SiO2层,在SiO2层上制作掩膜板图形;根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型...
  • 一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT,包括:一衬底;一成核层制作在衬底上面,其厚度为0.01-0.50μm;一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面;一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面;一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁...
  • 一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器,包括:一个垂直耦合光栅;两个模式转换器,分别制作在垂直耦合光栅的两侧,实现近似无损耗的能量传输以及模式转换;两个单模脊型波导,其分别与两个模式转换器的一端连接;一个光学合束器,其分别与两个...
  • 本发明公开了一种距离选通超分辨三维成像装置及方法,该装置包括触摸屏显示器(8)、中心处理器(9)、时序控制器(10)、脉冲激光器(11)、照明光学镜头(12)、选通面阵成像器件(13)和成像光学镜头(14);其中,脉冲激光器(11)和照...
  • 一种吸收变形弹性固定压板,包括:一压块基体,为一连续弯折的长条形状,包括第一U形块体、第二U形块体、第三U形块体和第四U形块体;该第一U形块体包括一第一上片体和一第一下片体,其开口朝向长条形状压块基体长侧边的窄面;该第二U形块体包括一左...
  • 本发明公开了一种对激光镀层进行处理的系统,包括第一脉冲激光器(1)和第二脉冲激光器(2)、第一衰减器(3)和第二衰减器(4)、第一电子快门(5)和第二电子快门(6)、第一扩束镜(7)和第二扩束镜(8)、反射镜(9)、合束器(10)、CC...
  • 本发明提供了一种激光器电源辅助供电电路,包括:第一级连接电路,用于在激光器电源接好输入电压,且打开总开关时,直接连通总辅助供电电源和第一级供电系统;第二级连接电路,用于在第一级连接电路连通,并且激光器中水冷机工作状态正常的情况下,连通第...
  • 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括:一体硅衬底,在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层,在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层,不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔...
  • 一种基于光梳的偏振复用信道化接收机,包括:一平坦光梳发生器;一光强度调制器,其与平坦光梳发生器连接;一光耦合器,该其与光强度调制器连接;一声光调制器,其与光耦合器连接;一可变衰减器,其与光耦合器连接;一第一偏振控制器,其与可变衰减器连接...
  • 本发明提供了一种激光器冗余备份电源。通过在一台或数台激光器电源发生故障的情况下,控制模块通过加大其余可正常工作激光器电源的驱动电流来保证系统总驱动电流的恒定,从而可以实现在电源故障的情况下不间断地为激光器提供驱动电流,大大提高了激光器驱...