【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到硅基光子学及芯片级光互连技术，尤其涉及到基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器。
技术介绍
近半个世纪来，随着集成电路的发展，硅基材料和器件工艺已经非常成熟，而且随着工艺特征尺寸的不断缩小，集成电路的集成度也一直按照摩尔定律飞速向前发展。芯片更高的集成度带来的不仅仅是晶体管数目的增加，更是芯片功能和处理速度的提升。然而，随着特征尺寸的不断缩小和集成度的不断增加，微电子工艺的局限性也日趋明显。虽然单个晶体管的延时和功耗越来越小，但是互连线的延时和功耗却越来越大并逐渐占据主导。在当今的处理器中，电互连引起的功耗占了整个芯片总功耗的80%以上。因此，可以看到深亚微米特征尺寸下电互连延迟和功耗的瓶颈，已经严重制约了芯片性能的进一步提高。于是人们把目光投向了光互连。光互连能解决电互连固有的瓶颈，具有高带宽、抗干扰和低功耗等优点，可用于系统芯片中时钟信号传输，解决信号的相互干扰和时钟歪斜问题。近年来，SOI材料由于其强的光限制能力以及硅在光通信波段透明的特性，成为一个极具吸引力的硅光子技术平台，并且发展十分迅速，许多有重大意义的成果相继被提出和验证，光栅...
【技术保护点】
一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作在一衬底上。
【技术特征摘要】
1.一种基于对称垂直光栅稱合结构的SOI基光隔离器,包括一个垂直稱合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄北举，张赞，张赞允，陈弘达，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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