应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法技术

一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器件衬底内部不同深度的部位；步骤4：横向和纵向移动水平移动平台，完成飞秒激光划片；步骤5：对LED器件进行裂片，得到单个LED器件。本发明专利技术可以达到不同光束同时切割蓝宝石衬底，实现一次切割、多处划痕的效果，从而实现对较厚蓝宝石衬底的低损伤切割，以达到发光二极管的器件分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指氮化镓基发光二极管晶圆激光划片

技术介绍
激光划片技术广泛应用于氮化镓基发光二极管晶圆的器件分离工艺，具有简单、快速、高效等特点。现在普通的纳秒激光划片机在切割蓝宝石衬底进行器件分离时，只能在蓝宝石衬底上留下深度为20 μ m至50 μ m的切割痕迹。这样就使得460 μ m左右厚度的蓝宝石衬底需要机械减薄、抛光至70-120 μ m的厚度才能划裂开，以达到器件分离的目的。但是，机械减薄及抛光蓝宝石会使得氮化镓外延层受到一定程度的破坏，从而降低了发光二极管的发光效率。同时，机械减薄及抛光蓝宝石衬底会使得发光二极管的制备工艺复杂化，从而提高了器件的生产成本。而且由于纳秒激光脉冲较长，其聚焦在蓝宝石衬底上所产生的高温会使得激光划痕附近的蓝宝石发生相变，使得激光划痕附近的光透过率降低，这也·影响了器件的光提取效率。另一方面，出于成本考虑，氮化镓基发光二极管的外延片正在向4英寸、6英寸甚至8英寸等大尺寸外延的方向进行产业升级，由于氮化镓材料与蓝宝石衬底晶格失配所引起的巨大应力使得蓝宝石衬底很难再减薄到100 μ m左右的厚度。这样就需要一种新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器件衬底内部不同深度的部位；步骤4：横向和纵向移动水平移动平台，完成飞秒激光划片；步骤5：对LED器件进行裂片，得到单个LED器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，张逸韵，杨华，李璟，伊晓燕，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：