专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法技术
一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构,包括:一绝缘衬底;在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层;在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区;在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极;...
固体激光器用YAG棒的固定方法技术
一种固体激光器用YAG棒的固定方法,包括如下步骤:在一矩形的YAG棒热沉的一表面纵向开有一上圆弧凹槽;在矩形的YAG棒热沉的上圆弧凹槽的两边错开纵向开有多个细孔;将YAG棒居中放在YAG棒热沉的上圆弧凹槽里;用不锈钢丝依次穿过YAG棒无...
一种双结太阳电池及其制备方法技术
本发明公开了一种双结太阳电池及其制备方法。该双结太阳电池包括:第一导电类型衬底;在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型层和介质钝化层,且介质钝化层表面为绒面;在该第一导电类型衬底的背光面上交替形成的背光面第二导电类型...
一种平面相变存储器的制备方法技术
一种平面相变存储器的制备方法,包括:在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成图形作为制备相变材料侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层;去除基底材料层上表面的和电热绝...
一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法技术
本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法,该单晶薄膜异质结太阳电池包括:第一导电类型衬底;在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层,且钝化介质层表面为绒面;在该第一导电类型衬底的背光面上依序...
汽车尾气氮氧化物监测光纤传感器制造技术
一种汽车尾气中氮氧化物监测光纤传感器,包括:一气室,该气室概似一圆筒状,其中间有一通孔,外壁概似一锥形,分为大径端和小径端,外壁的中间有一柱状凹部,该柱状凹部的壁面与通孔的方向相对开有两个小孔;一滤网安装在气室大径端的外侧;一法兰固定套...
宽调谐范围双波长输出光参量振荡器制造技术
一种宽调谐范围双波长输出光参量振荡器,包括:泵浦源、光学耦合透镜组、平面输入镜、周期极化非线性晶体、控温炉和垂直双臂输出镜;垂直双臂输出镜由两个互相垂直的平面镜构成;周期极化非线性晶体的外部套置控温炉,形成控温非线性晶体;所述平面输入镜...
一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法技术
本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料,包括:N型碳化硅衬底;位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层;位于该N-变浓度缓冲层上的本征层;以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表...
双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法技术
本发明公开了一种双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法。该结构包含两个直波导微环耦合传感单元结构和两个微流通道。直波导微环耦合单元结构位于硅材料衬底上,在传感单元上面是两个由PDMS材料制作的微流通道,该微流通道方向垂...
一种硅基集成化的光学加密调制器制造技术
本发明公开了一种硅基集成化的光学加密调制器,该光学加密调制器由两个纳米线微环谐振器MRR实现,具有两个输入端和一个输出端,该两个输入端分别输入一明文电脉冲序列和一密钥电脉冲序列,输出端输出一密文光脉冲序列,该输出的密文光脉冲序列可直接进...
窄带宽的可调谐光滤波器制造技术
一种窄带宽的可调谐光滤波器,包括:一光纤FP腔可调谐光滤波器,其第一光端口通过光纤与第一光纤耦合器的第一光端口连接,该第一光纤耦合器的另两个端口分别为参考光输入端和信号光输出端,参考光输入端与光纤连接,信号光输出端与光纤连接;一第二光纤...
激光程控气体浓度检测系统及检测方法技术方案
一种激光程控气体浓度检测系统,包括:一程序控制处理器;一程控电流源通过连线与程序控制处理器通讯;一柱形气室的一端的中心安装有法兰装置;一长波长激光器的一端通过光纤将光耦合进柱形气室的法兰中,另一端与程控电流源连接;一光电探测器安装在柱形...
GaN基光电子器件表面粗化的制作方法技术
本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层;步骤3:利用纳米加工技术,在p型层上加工形成纳米柱阵列;步骤4:在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。
一种制备氧化锌纳米材料的方法技术
本发明公开了一种制备氧化锌纳米材料的方法,该方法包括:用磁控溅射法在硅衬底上沉积氧化锌薄膜作为籽晶层;将该籽晶层放入反应釜中,利用水热反应制备氧化锌纳米结构材料,并通过调节反应参数来实现氧化锌纳米材料的形貌控制并增强其发光。本发明提供的...
在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法技术
本发明公开了一种在硅平台上实现二氧化硅阵列波导光栅与激光器倒装集成的方法,包括如下步骤:步骤1:在硅片上制作对准标记和水平定位;步骤2:在硅片上制作出高度定位、凹槽和电极槽;步骤3:在电极槽中依次制作二氧化硅薄膜和Cr-Ni-Au电极;...
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液制造技术
本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液,该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3~4ml的双氧水,实现了对Al组分为0.8~0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8~0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这...
纳流体晶体管的制备方法技术
一种纳流体晶体管的制备方法,包括:在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和电热绝...
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法技术
一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法,包含以下步骤:步骤1:选用一衬底,并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理;步骤2:用氢气或者氮气作为载气,在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层,该缓冲层的作用...
锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法技术
本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括:衬底,及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器采用脊型台面双沟...
一种基于键合技术制作微波传输线的方法技术
本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法,该方法包括:采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起;去除外延片的衬底,露出外延片的外延材料层;对外延片的外延材料层进行刻蚀,制作外延器件,将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面...
首页
<<
230
231
232
233
234
235
236
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68154
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
佛山市创联科技有限公司
20
中国地质大学武汉
11442
湖北睿荣智能科技有限公司
1
北京航空航天大学杭州创新研究院
922
太原理工大学
14445
苏州天哲云智物联网科技有限公司
2
深圳市智能派科技有限公司
259
河北工业大学
13644
长城汽车股份有限公司
25193
摩尔线程智能科技北京股份有限公司
649