中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本实用新型公开了一种适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片,该光学窗口片包括:光学玻片(101);蒸镀在光学玻片(101)正面的正面增透膜(102);以及蒸镀在光学玻片(101)背面的背面增透膜(103)。该光学窗口片使用高强度、低折射率...
  • 一套具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统,包括:一掺钛蓝宝石激光器,在其出射光路上依次排列有斩波器、宽波段线偏振片、光弹调制器、第一宽带消偏振分光棱镜、第二宽带消偏振分光棱镜、第一物镜和液氮杜瓦;该第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上...
  • 本发明公开了一种集成化光学向量-矩阵乘法器,该光学向量-矩阵乘法器由可扩展的内积运算单元构成,该内积运算单元由一维排列的多个可调谐的平行波导结构的微环谐振器构成,该光学向量-矩阵乘法器采用集成光学的方式实现M×N矩阵与N×1向量的乘法,...
  • 一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门,包括:一基片;一n型稀释波导层制作于基片之上;一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上,形成电吸收调制器结构;一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P型重掺杂的InP...
  • 一种分布反馈光纤激光器的封装结构,包括:一底座,为一矩形;一外层封装,该外层封装为一内凹形的矩形,扣置在底座的上面,使底座与外层封装之间有一容置空间,该外层封装相对的两个侧壁上同心开有两个第一圆孔;隔声板;该隔声板帖附于底座与外层封装之...
  • 一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上旋涂一层光刻胶,利用光刻技术形成第一掩膜图形,该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形;步骤2:利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉,刻蚀深度小于衬底的厚...
  • 一种闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法,该闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一准直系统,该准直系统的输入端与激光器的输出端连接;一闪耀光栅,该闪耀光栅接收准直系统发出的均匀平行光,经闪耀光栅的反射,形成1级衍射光和0级光,将1...
  • 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法,其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器,包括:一InP衬底;一InP波导限制层制作在InP衬底上;一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上;一应变补偿有源层制作在InG...
  • 一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管,包括:一透明阳极;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上,该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层沉积在所述有机空穴注入层上;一...
  • 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法,其中该氮化镓基雪崩型探测器包括:一衬底;一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上;一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上,该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接...
  • 本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法,该器件包括:P型硅衬底;嵌入于该P型硅衬底中的N阱;由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构,该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-...
  • 本发明公开了一种低功耗全差分双模前置分频器,由一个全差分2/3分频器、N-1级串联的全差分2分频器列和N-1级串联的全差分与非门列构成,全差分2/3分频器的输出与N-1级全差分2分频器串接,全差分2/3分频器的输入与N-1级全差分与非门...
  • 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法,其主要步骤如下:步骤1:在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层;步骤2:在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层,或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PI...
  • 本发明公开了一种集成照明、通信、控制功能于一体的光学无线多目标控制系统,该系统在照明的同时能实现光学无线通信和控制功能,包括硬件电路部分和软件设计部分,硬件电路部分包括发射机硬件电路和接收机硬件电路,发射机硬件电路包括半导体照明光源、光...
  • 一种用于片上光互连的接收模块封装方法,包括:采用电子束曝光技术将版图上的脊形波导及光栅结构转移至事先清洗过的SOI基片的顶硅层上;采用电子束光刻胶作为掩模,利用硅等离子干法刻蚀工艺刻蚀出亚微米脊形波导及光栅结构;采用沉淀二氧化硅技术在刻...
  • 一种光纤耦合怀特腔,包括:一刚性平面底座;一小凹面镜调节架固定在底座上面的一侧,该小凹面镜调节架的内侧中间有一圆形小凹槽,在圆形小凹槽直径以外的上下对称部位开有两个圆形通孔,两个圆形通孔中心位于圆形小凹槽直径的延长线上;一小凹面镜镶嵌在...
  • 一种高迁移率量子点场效应晶体管,包括:一衬底;一第一应力缓冲层制作在衬底上;一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上;一掺杂层制作在第二应力缓冲层上;一间隔层制作在掺杂层上;一沟道层制作在间隔层上;一下势垒层制作在沟道层上;一量子点层制作...
  • 一种带输出波导的圆盘微腔激光器,其中包括:一衬底,该衬底为矩形;一上层结构,该上层结构制作在衬底上,该上层结构包括:一谐振腔,该谐振腔为圆形;一条形输出波导,该条形输出波导的一端与谐振腔的侧面相连接,该谐振腔和条形输出波导形成概似乒乓球...
  • 本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法,包括:在衬底上淀积金属,作为导电桥存储器的下电极,接着在下电极上制备一层绝缘材料;在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔,孔底部为在衬底上淀积的金属;采...
  • 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P...