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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法技术
本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法,该方法包括:在长方体管壳的底部焊接一散热基座;在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉;将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上;从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤...
光纤与电光调制器对准耦合的自动化控制系统技术方案
本发明公开了一种光纤与电光调制器对准耦合的自动化控制系统,该系统包括可调谐激光器、光功率计、电光调制器、保偏光纤、调整架、步进电机控制器、通用接口总线(GPIB)卡、GPIB线缆、串口通信线缆和计算机,该可调谐激光器与输入光纤相连结,该...
正多边形微腔双稳半导体激光器制造技术
本发明公开了一种正多边形微腔双稳半导体激光器,该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成,包括一正多边形的谐振腔和一输出波导,且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。利用本发明,由于正多边形微腔中不同对称性模式的品质因子和耦合效率随波导的变...
环形激光谐振腔结构制造技术
本发明公开了一种环形激光谐振腔结构,该结构包括2n+1个谐振腔镜和1个激光工作介质,n为自然数,其中,该2n+1个谐振腔镜按照正2n+1边形的方式固定在光学平台上,该2n+1个谐振腔镜分别位于正2n+1边形的顶角;在该2n+1个谐振腔镜...
氮化镓生长方法技术
一种氮化镓生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法,生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法,生长外延层。本发明的氮...
对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法技术方案
本发明公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统,包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场控制系统、表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品;具有特殊光路的磁场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底观察窗口相对接,...
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法技术
本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法,该方法是在沉积金属电极之前,利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域,然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极,形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄...
在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置,该装置包括:一导温密封腔,用于容置待检测光电器件,具有一光窗口,用于被检测光电器件的光输出或光输入;一支架,该导温密封腔固定于该支架的顶端;一托架,设置于该支架的下端,可沿支架...
在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内,光信号可以通过光窗口出入杜瓦,被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。该装置及方法可以...
基于3×3耦合器两路输出的波长解调系统及方法技术方案
本发明公开了一种基于3×3耦合器两路输出的波长解调系统及方法,系统包括:高通滤波模块,对接收自3×3耦合器的任意两路干涉条纹进行高通滤波,滤去直流项后得到两路输出信号;乘法交叉相减模块,对两路信号进行乘法交叉相减,得到包含信号的正弦项和...
实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法技术
本发明公开了一种实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法,该方法包括:制作PCB接口板;将弹簧针插座焊接在该PCB接口板上,并将弹簧针针体插在插座上构成弹性针床;将弹簧针针体的头部对准微电极阵列接口电极,通过紧固螺丝压缩弹簧针,将弹簧针...
光脉冲时域展宽模数转换器制造技术
一种光脉冲时域展宽模数转换器,包括:超连续激光光源,电光调制器,光电转换器,普通模数转换器,其中:超连续激光光源的输出端通过第一光纤与电光调制器的输入端相连;电光调制器的输出端通过第二光纤与光电转换器的输入端相连;光电转换器的输出端与普...
减小温度梯度的激光晶体制造技术
本发明一种减小温度梯的激光晶体,包括:一激光晶体;一薄膜层,该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。本发明所述的减小温度梯的激光晶体,具有制作简单、方便且成本低廉,有利于产业化生产的优点。
低温晶片键合的方法技术
一种低温晶片键合的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗,去除表面的有机物,该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理,以...
半导体激光器储存盒制造技术
一种半导体激光器储存盒,其中包括:一盒体,为一矩形板体,其上间隔均匀排列有多个热沉仓,该热沉仓的深度小于盒体的厚度,该热沉仓用于激光器热沉的陈放和定位;多个上盖,为一矩形板体,尺寸大于盒体上的热沉仓,在该上盖的一面开有一T形仓盖,该T形...
半导体激光器储存盒制造技术
一种半导体激光器储存盒,其中包括:一盒体,为一矩形板,在矩形板上间隔出多个空心长方体热沉仓,该热沉仓用于激光器热沉的陈放和定位;多个上盖,其是与热沉仓配套的长方体板,用于储存盒的密封并压紧热沉,使其固定;所述多个上盖扣合于盒体上的热沉仓。
半导体激光器bar条储存盒制造技术
一种半导体激光器bar条储存盒,其中包括:一bar条仓,该bar条仓为一矩形板状,在bar条仓上面的中部围组成一矩形仓,该矩形仓形成一底板,该矩形仓内单方向形成有多组仓体,所述仓体为等间距排列,每一组仓体又形成有多个bar条格,该bar...
单模红外激光器光波长精确测量装置及测量方法制造方法及图纸
一种单模激光器波长精确测量装置,包括:一待测激光器;一外调制器,该外调制器的输入端与待测激光器的输出端通过光纤连接;该待测激光器的输出光经连接光纤被送入到调制器中;一微波驱动器,该微波驱动器的输入输出端分别与微波网络分析仪输出端和外调制...
一种对半导体材料进行霍尔测试的装置制造方法及图纸
本发明公开了一种对半导体材料进行霍尔测试的装置,该装置包括第一单刀双掷继电器(A)、第二单刀双掷继电器(B)、第三单刀双掷继电器(C)、第四单刀双掷继电器(D)、第五单刀双掷继电器(a)、第六单刀双掷继电器(b)、第七单刀双掷继电器(c...
光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法技术
本发明公开了一种光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法,该方法包括:在半导体材料上制作一二维半导体光子晶体波导;利用低群速度的导波模式使得光波在光子晶体波导内形成共振;调整光子晶体波导最近邻空气孔半径的大小,从而使得导波能带带边的频率位...
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