本发明公开了一种对ＩＩＩ－Ｖ氮化物进行ｎ型和ｐ型掺杂的方法，在蓝宝石、ＳｉＣ、ＧａＮ等衬底上外延生长的ｎ型和ｐ型ＩＩＩ－Ｖ族氮化物，使用ＳｉＨ４和／或Ｃｐ２Ｍｇ作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现ｎ型和ｐ型的有效掺杂。利用本发明，实...

本发明涉及振动检测技术领域，公开了一种用于振动检测的调制解调系统及方法。该系统包括振动测量的光路系统部分和后期振动信号解调部分，利用该振动测量的光路系统部分中的ＰＺＴ驱动电源对ＰＺＴ产生的固定角频率ω０振动，从而实现对参考光进行相位调制...

本发明公开了一种补偿式微位移传感光子集成芯片，该芯片由一个面发射激光器和至少二个谐振腔增强型光电探测器构成，其中，所述面发射激光器发出的激光照射到目标探测物表面，经目标探测物散射或反射后，被所述至少二个谐振腔增强型光电探测器接收，通过测...

本发明公开了一种优化光纤无线电下行传输链路性能的系统，包括：由基带数据信号（２）和光载射频信号产生子系统（１）构成的中心站、下行光纤传输链路（３）、以及由光电检测器（４）和光滤波器（５）构成的基站，中心站通过下行光纤传输链路（３）与基站...

本发明薄膜太阳能电池制备技术领域，公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的ＣｄＳ薄膜的方法，包括以下步骤：步骤１：利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤２：将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备...

一种在玻璃衬底上制备Ｐ型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤１：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤２：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤３：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤４：利...

一种基于光纤阵列的同步２×２机械式光开关，包括：一第一光纤阵列基座；沿圆周方向上均匀分布有１２个与柱面垂直的光纤通道；每个通道的顶部固定一个光纤头，其一端露出第一光纤阵列基座的表面；一耦合基座；沿圆周方向上均匀分布１２个通孔，所述光纤头...

一种激光长距离输电装置，包括：一恒流驱动电源；一半导体激光器，该半导体激光器的输入端与恒流驱动电源的输出端连接；一单模光纤，该单模光纤的一端与半导体激光器的输出端连接；一光放大器，该光放大器的输入端与单模光纤的另一端连接；一半导体光探测...

一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区...

一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；其中谐振腔结构进一步还包括如下结构：一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上，包括交替生长的下反射镜砷化镓层和...

本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件，该器件包括从下到上依次生长的衬底（１０）、缓冲层（２０）和微腔结构（３０），且该微腔结构（３０）包括从下到上依次生长的下反射镜（３１）、有源区（３２）和上反射镜（３３），该有源区（３２）是由交替...

本实用新型公开了一种化学气相淀积外延设备用的进气装置，该装置包含：一进气法兰盘，该法兰盘与筛板法兰通过密封胶圈密封连接；一匀气筛板，该匀气筛板嵌装入该进气法兰盘底面中央的圆形沉槽中；一中层筛板，该中层筛板与筛板法兰通过密封胶圈密封连接，...

本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层...

本发明提供一种ＭＤＭＯ－ＰＰＶ包裹ＰｂＳ纳米材料及太阳能电池的制备方法。针对现有制备ＰｂＳ量子点和纳米棒的缺陷，以及其他无机有机复合体异质结太阳能电池的不足，本发明以聚合物半导体ＭＤＭＯ－ＰＰＶ为包覆体，制备了具有光电应用前景的ＰｂＳ量...

一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，包括如下步骤：１：取一铝片，清洗和抛光；２：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；３：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；４：利用阳极氧化铝的方法在铝片...

本发明公开了一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向（ｙ方...

本发明公开了一种采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，该单光子源由下至上依次由下电极、ｎ型衬底、下ＤＢＲ、光子晶体微腔、上ＤＢＲ、ｐ型接触层和上电极构成。其中，该单光子源的光子晶体微腔是半导体量子点光子晶体微腔，且采用二维...

本发明公开了一种采用光子晶体结构实现环形腔回音壁模式的方法，该方法是在半导体材料中，通过在完好的三角晶格光子晶体中去掉１２个光子晶体空气孔，并在环形的拐角处增加６个光子晶体空气孔，形成光子晶体环形腔来实现的。本发明提供的光子晶体中的回音...

本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一绝缘衬底；步骤２：采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理，用于去除表面划痕等缺陷，将表面刻蚀平整；步骤３：对绝缘衬底进行高温氮化处理，用于活化...

本发明公开了一种应用于模数转换器的采样保持电路，该采样保持电路包括采样开关自举电路（１０）、采样网络（２０）和源跟随器（３０），该采样开关自举电路（１０）的输出端与采样网络（２０）的输入端连接，该采样网络（２０）的输出端与源跟随器（３０...