本发明公开了一种用于低电压差分信号接收的接口电路，该电路包括前级差分放大器对（１０１）、信号选择电路（１０２）和双端转单端及电平转换电路（１０３），其中，前级差分放大器对（１０１）的两个输入端子ＶＩＮＰ、ＶＩＮＮ接收输入整个电路的低电压...

一种在本征砷化镓表面温度７７Ｋ以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１：在制备好的ＧａＡｓ基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤２：将显影后的ＧａＡｓ基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤３：将轰击后的基片浸入ｓ...

一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一硅衬底；步骤２：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤３：将衬底加热；步骤４：离子束辅助沉积系统采用两...

一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具...

本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）及其制作方法。所述激光器包括Ｎ电极（１），Ｎ型ＧａＡｓ衬底（２），Ｎ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料系的下分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）（３），ＩｎＰ基应变量子阱有源区（４），ＧａＡｓ／...

本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括Ｐ型电极（１），Ｐ型Ｓｉ衬底（２），金属键合层（３），Ｐ型分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）（４），氧化限制层（５），有源区（６），Ｎ型ＤＢＲ（７），ＳｉＯ２掩膜（８...

本发明公开了一种制作用于１．５５微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括：在ＳＯＩ的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系；在环形波导两侧分别注入或扩散Ｖ族和ＩＩＩ族离子并退火，形成波导侧壁连续的ｎ型和ｐ型掺杂...

本发明公开了一种列阵器件光束快轴压缩用圆柱透镜的制作方法，该方法包括：制作规格相同的一定长度的光纤段；对该光纤段的两端进行金属膜溅射；将两端溅射好金属膜的光纤段焊接在陶瓷段上，焊好后用去离子水清洗，然后超声清洗后烘干。本发明提供的这种列...

本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上ＤＢＲｓ表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。

一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口...

一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料；一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料；一气源通道，该...

本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长Ｎ型层、本征层和Ｐ型层，其中，Ｐ型层又分为Ｐ层和Ｐ↑［＋］层；在生长Ｐ层时，将Ｐ层的生长时间延长ｔ秒，在Ｐ层生长...

本发明公开了一种针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法，该方法包括映射和合并两个步骤，首先对输入的与具体工艺无关的门级电路网表进行解析，并对解析的结果进行工艺映射，然后再根据多模式ＬＣ的约束信息对工艺映射结果进行合并处理，计算出多...

一种具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器，其特征在于，包括：一铜热沉，该铜热沉上开有一凹槽；一透明热沉，该透明热沉的上表面蒸镀有增透膜；一外延片，该外延片采用液体吸附的方法与透明热沉的下表面连接，将连接后透明热沉和外延片通...

本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器，该模数转换器由２↑［ｎ］－１个比较器和ｎ个编码器构成，ｎ为模数转换器的位数；其中，各比较器并联连接，输入各比较器的模拟信号采用并联方式输入，温度码的各...

一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水...

一种掺Ｙｂ双包层光纤激光器ｖ形槽侧面粘和泵浦方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在双包层光纤的内包层和外包层上用精密光学微加工技术沿双包层光纤的轴向加工一段ｖ形槽，该ｖ形槽的底部高于双包层光纤的纤芯的表面；步骤２：将多模尾纤的一端用...

本发明公开了一种连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块，该激光器模块由驱动电路、半导体激光器和管壳构成，该驱动电路驱动该半导体激光器发光，且该驱动电路和该半导体激光器被封装在侧面至少具有一光窗的管壳内。利用本发明，减小了寄生效应带来的影响...

本发明一种叠层半导体激光器光纤排／束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤１：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组Ｖ型槽；步骤２：沿叠层热沉的纵向，在具有多组Ｖ型槽的...

本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，该电光调制器由制作在绝缘体上硅ＳＯＩ衬底上的两个法布里－珀罗谐振腔（４）串联而成，该两个法布里－珀罗谐振腔（４）采用游标式级联的形式串联形成级联谐振腔结构的低功耗电光调制器。所述法布...