本发明涉及电流信号高精度分离及角差测量技术领域，公开了一种基于核独立分量分析的电流传感器角差在线监测方法。该方法将正弦电流测试信号和正常工作电流共同输入电流传感器，并对电流传感器输出的混合信号进行采样，得到混合采样信号；将该混合采样信号...

本发明公开了一种用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪，包括温度控制器、光源、准直与会聚单元、分光与延迟单元、非线性效应单元和信号探测单元；其中，温度控制器用于控制作为光源的激光器的温度，解决激光器激射波长易漂移的问题，并可整体...

本发明公开了一种基于自适应滤波的相位检测方法，包括以下步骤：对输入信号进行时频域的转换，在频域估计出输入信号的大致频率值；对估计出的大致频率值进行调整，调整至该大致频率值的误差不足以造成信号相位检测的负担；根据自适应陷波算法对已知频率的...

本发明公开了一种基于全并行图像处理器的实时图像内容检索系统，该系统包括全并行阵列处理器、辅助输入／输出设备、控制设备，以及计算机和图像检索软件，利用该全并行处理器进行大规模并行运算，使得图像特征的提取和匹配速度远高于通常基于计算机的软件...

本发明公开了一种可调谐光纤Ｆ－Ｐ腔滤波器，包括：由金属或陶瓷材料构成的封装盒（１）；固定于封装盒（１）内的半导体制冷器（１２）；固定于半导体制冷器（１２）上的结构块（４）、压电陶瓷（１０）、测温元件（８）和耐热材料（９）；通过环氧树脂粘...

本发明公开了一种基于人类视觉模拟的计算机人脸定位方法，该方法包括：对输入的静态彩色图像进行灰度化和低通滤波，得到经过滤波的灰度图像；将该经过滤波的灰度图像分割为若干分立的区域；在该若干分立区域中选取和合并可能包含人脸的区域；确定该可能包...

本发明公开了一种用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法，该方法包括：半导体衬底的清洗；旋涂光刻胶；光刻胶的前烘焙；在双光束全息系统中多次交叉曝光；显影；光刻胶的后烘焙；半导体衬底的各向同性腐蚀；除去光刻胶。本发明提供的这种用于...

本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μｍ量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延ＭＢＥ生长方法，在同一衬底片...

本发明是一种高输出效率的半导体发光管，所述发光管包括两个等腰直角三角形构成的长方形半导体发光管单元，其中，两个等腰直角三角形构成的长方形结构的半导体发光管，半导体发光管平面内传播的自发辐射光线在直角三角形边上发生全反射并入射到其它三角形...

一种抗振动与噪声干扰的光纤传感波长解调系统，包括：一光源；一耦合器的输入端与光源的输出端经光纤连接；一波长调制型传感器和波长型参考器的输入端经光纤与耦合器的输出端连接；一光纤隔离器的输入端经光纤与耦合器的输入端连接；一光纤干涉仪的输入端...

一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤１：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤２：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤３：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤...

本发明公开了一种ＧａＡｓ基ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格３至５微米波段红外光电探测器及其制作方法。该红外光电探测器由自下而上的ＧａＡｓ衬底、ＧａＡｓ缓冲层、ＡｌＳｂ成核层、ＧａＳｂ下缓冲层、ＡｌＳｂ／ＧａＳｂ超晶格层、ＧａＳｂ上缓冲层、ＩｎＡ...

本发明是一种可用于直下式ＬＣＤ背光源的ＬＥＤ的透镜。所述透镜是一个由透明材料制成的轴对称实体，包含：一个底面，该底面为光入射面；一个侧面，该侧面为光折射界面；一个上曲面，该曲面为光折射界面；一个中心曲面，该曲面为光折射界面。该透镜放置于...

一种光纤周界安全管理系统，包含：一光源；一复用系统的输入端采用光纤与光源连接，该复用系统起到光纤通道复用的作用；一光纤传感器阵列的输入端采用光纤与复用系统的输出端连接，敏感外界物理量的变化；一解调系统的输入端与复用系统的输出端连接，把光...

本发明公开了一种分多阶实现１６信道的可重构光插分复用器（ＲＯＡＤＭ结构），该ＲＯＡＤＭ结构由输入部分、第一阶滤波区、第二阶滤波区、本地下载区、本地上载区、合束器和输出部分构成，各组成部分之间通过纳米线波导连接。本发明利用微环形谐振器的自...

一种ＩｎＰ基平面型背入射雪崩光电二极管，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上；一吸收层制作在缓冲层上；一过渡层制作在吸收层上；一电场控制层制作在过渡层上；一雪崩倍增层，该雪崩倍增层制作在电场控制层上；其中该雪崩倍增层上面的中央区域形成有一...

本发明公开了一种主方向神经网络系统，采用４层前馈式结构，包括输入层、第一隐层、第二隐层和输出层，输入层包含Ｄ个神经元，第一隐层包含Ｋ组神经元，每组神经元包含３个神经元，第二隐层包含Ｋ个神经元，输出层为一个神经元，Ｄ和Ｋ均为自然数；输入层...

一种垂直结构氮化物ＬＥＤ的制备方法，包括：取一生长氮化物的衬底；在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱；在辅助剥离层上，采用ＭＯＣＶＤ方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；在氮化物成核层上生长一层氮...

本发明涉及微丝电极阵列的装配技术，特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法，能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔，通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小...

本发明公开了一种静态随机存储器ＳＲＡＭ单元，以及加快该ＳＲＡＭ单元写入速度的方法。该静态随机存储器单元由具有双栅结构的Ｎ沟道ＦｉｎＦＥＴ组成，包含一对下拉ＮＭＯＳ管和一对存取ＮＭＯＳ管。一方面，存取ＭＯＳ管具有较小的沟道长度，而下拉ＭＯ...