本发明公开了一种增强ＬＥＤ出光效率的粗化方法，用于对ＬＥＤ的ＩＴＯ层、Ｐ型层、Ｎ型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高ＬＥＤ的出光效率，该方法包括：步骤１：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤２：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜...

本发明公开了一种适用于氮化物ＬＥＤ外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤１：准备并清洗衬底；步骤２：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤３：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤４：以形成的该纳米尺寸胶...

本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间Ｐ型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要的悬臂台面，并去...

本发明公开了一种基于单块周期极化晶体输出双波长激光和太赫兹波的装置，包括全反镜（１）、侧泵激光头（２）、声光Ｑ开关（３）、平凹镜（４）、周期极化晶体（５）、控温炉（６）和平面输出镜（７），其中控温炉（６）用于控制周期极化晶体（５）的工作...

本发明公开了一种测量非线性晶体热功率大小的装置，包括非线性晶体、温度传感器、智能模块、控温电源、控温炉和示波器。非线性晶体放置于控温炉内部，工作于某一设定的温度Ｔ１条件下，起到激光变频的作用；温度传感器用于测量非线性晶体的实际工作温度Ｔ...

本发明公开了一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法，该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层，所述介质钝化层表面为广谱减反结构；在所述第一导电类型衬底背光面上依序具有一背光面第一导电类型层及一...

本发明公开了一种微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法，该结构包括含磷酸根离子敏感膜的检测单元、微流通道及电信号输出接口。磷酸根离子检测单元及电信号输出接口位于硅片衬底材料上，在传感单元上面是由ＰＤＭＳ材料制作的微流通道。磷酸...

本发明公开了一种非对称的高速低功耗收发装置，包括双工器（１０）、包络检波器（１１）、解调器（１２）、数字处理器（１３）、功率放大器（１４）、锁相环频率综合器（１５）和存储器（１６）。本发明在满足一定灵敏度的前提下，实现了极低功耗的无线接...

一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上...

一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电热绝缘材料层制作...

一种不同粒径银纳米颗粒修饰ＴｉＯ２纳米管的制备方法，包括：将ＴｉＯ２球形颗粒超声分散在氢氧化钠水溶液中；将ＴｉＯ２的氢氧化钠溶液升温至１５０度反应２４小时后自然冷却；将冷却后的ＴｉＯ２的氢氧化钠溶液离心；然后将清洗沉淀至中性的ＴｉＯ２分...

本发明公开了一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构，该慢光波导结构采用线缺陷光子晶体结构，包括纵向结构及横向结构，纵向结构为空气桥多层结构，从顶层到底层依次为空气层／半导体材料层／空气层／衬底材料层，横向结构采用三角晶格结构，周期为Ｐ...

一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法，包括：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓ＬＥＤ层；在氮化镓ＬＥＤ层上采用电镀方法制作一次电镀层；对一次电镀层进行减薄抛光处理，使其表面光亮平整；用激光刻划方法在一次电镀...

一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤１：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓ＬＥＤ层；步骤２：在氮化镓ＬＥＤ层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤３：减薄转移衬底，然后抛光；步骤４：用激光刻划方...

一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤１：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是ＬＥＤ的发光区域；步骤２：在台面上及外延层的四...

一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖...

本发明公开了一种激光气体浓度检测的拟合动态寻峰方法，包括：控制器将特定波长激光器的工作温度调节到某一合适值，并为特定波长激光器线性增加偏置电流，同时接收光电探测器传递过来的电流信号得到光电流原始曲线；控制器判断吸收峰是否在光电流原始曲线...

本发明公开了一种防止ＭＥＭＳ器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在ＭＥＭＳ器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ｔｉ层，然后用光刻胶覆盖该金属Ｔｉ层。由于金属Ｔｉ在ＨＦ基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化...

本发明公开了一种大规模防止ＭＥＭＳ器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在ＨＦ基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在ＳｉＯ２层的湿法腐蚀之前，在器件表面旋涂一层光刻胶，使其...

一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一ｎ型接触层制作在缓冲层上，该ｎ型接触层由ｎ型氮化镓构成；一活性发光层制作在ｎ型接触层上并覆盖所述ｎ型接触层的部分表面，所述活性发...