本发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器，所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力；将两个“Ｕ”形紫铜块固定在所述压电陶瓷致动器两端，用于固定样品和导热；使用一紫...

本发明涉及半导体材料生长技术领域，是一种在蓝宝石衬底上生长大尺寸高质量ＺｎＯ单晶厚膜的新工艺。该方法包括步骤：１）用金属源化学气相外延生长工艺（ＭＶＰＥ）在蓝宝石衬底上进行第一次生长ＺｎＯ膜；２）停止生长，对生长系统通入氢气，原位刻蚀Ｚ...

本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带...

本发明公开了一种基于仿生模式识别的声纹识别方法，该方法包括：构建声纹识别训练集，该声纹识别训练集包含有多个说话人特征子空间，每个说话人特征子空间对应于一个人；将待测试语音进行特征变换，得到该待测试语音的时序点集，该时序点集包含有多个时序...

本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤３：在缓冲层上淀积...

一种利用ｐ型掺杂的硅为衬底生长氧化锌纳米棒的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选取一硅衬底；步骤２：在硅衬底（１１１）晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法生长氧化锌纳米棒；步骤３：将得到的氧化锌纳米棒样品静置在反应室腔体中缓慢冷...

本发明是一种利用仿生模式识别原理对基因组水平转移基因进行预测的方法。采用基于同调连续性仿生模式识别原理预测基因组水平转移基因，提取基因序列特征，把基因转化成高维空间的点，分析同类样本在高维空间的点分布的，确定覆盖样本子空间的几何形体构建...

本发明一种高性能铟砷／镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤３：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤４：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初...

本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟（ＴＭＩ）、氨气（ＮＨ↓...

本发明提出一种具有１：Ｎ波长备份功能的波分复用无源光网络系统。包括一光网络单元，一远端节点，一中心局，用于与光网络单元进行双向光纤通讯。本发明通过使用一个注入锁定法布里－珀罗激光器来代替大量的ＤＦＢ激光器和昂贵的波长可调谐激光器可以降低...

本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性ＧａＮ外延层的制备方法，以ｍ面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ＺｎＯ缓冲层，再用氢化物气相外延方法生长低温ＧａＮ保护层，之后升温到高温，在ＮＨ↓［３］气氛中退火，最后使用氢化物气相外延快速生长Ｇａ...

本发明公开了一种微机电系统薄膜材料力学性能与可靠性测量方法和相应的测试装置。通过将具有悬浮膜片的薄膜测试结构固定在具有气体通道的样品台上，通过向悬浮膜片一侧施加差分压力使悬浮膜片向另一侧变形凸起，测量在外加压力下的膜片中心挠度即膜片最大...

本发明公开了一种实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统，该系统包括：超高真空解理子系统，用于在机械外力的作用下把划好的外延片解理成条，并立即送入超高真空多层镀膜子系统中蒸镀多层腔面膜；超高真空多层镀膜子系统，用于对超高真空解理...

一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍...

本发明公开了一种基于光子晶体慢光效应具有偏振无关特性的光放大器，该光放大器包括纵向结构及横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构以纵向结构为基础分左右两部分光子晶体结构，左半部分为蜂窝结构光子晶体，右半部分为三角晶格...

本发明公开了一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器，该半导体光放大器包括纵向结构和横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构采用蜂窝晶格结构，并引入线缺陷作为导光区。本发明采用蜂窝晶格引入线缺陷的光子晶体结构能够实...

本发明公开了一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，该方法包括：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤３：制作该单片集成...

本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为２ｎ个扇形区，ｎ为大于１的整数；该水冷匀气板分为有机源水...

一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤１：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤２：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤３：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤４：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属...

本发明公开了一种ＩｎＧａＮ半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤１：取一衬底（２１）；步骤２：在该衬底（２１）上外延生长ＩｎＧａＮ层（２２）；步骤３：在该ＩｎＧａＮ层（２２）上制作形成纳米微结构层（３１）；步骤４：在该ＩｎＧａＮ纳米微...