本发明公开了一种固定固体激光器谐振腔中光学元件的方法，采用套管（可以是玻璃管、陶瓷管或金属管）来固定光学元件，光学元件固定于套管内，且光学元件的对称面与套管的轴线方向垂直。光学元件与套管的内壁之间采用涂胶或焊接的方式固定。利用本发明，提...

本发明公开了一种可见光通信控制系统，该系统包括连接内外系统的主控制设备（１）、发送可见光信号的发送设备（２）和接收可见光信号的接收设备（３），该主控制设备（１）通过内部总线连接于该发送设备（２），该发送设备（２）采用ＬＥＤ照明灯作为光信...

本发明公开了一种井下光缆连接保护装置，该装置包括：一个套筒（１０），为一中空的圆柱体，内部容纳光缆的连接部分；两个密封塞（２０），分别安装于套筒（１０）的两端，对套筒（１０）进行密封；两个密封圈（１１），分别安装于套筒（１０）与密封塞（...

本发明公开了一种光纤激光井下检波器，该光纤激光井下检波器包括：光纤激光器（１０），安装于支撑筒（２０）的中心轴线上，用于感受地震波信号；支撑筒（２０），为中空的圆柱形结构，用于保护安装于其内部的光纤激光器（１０）；安装于支撑筒（２０）外...

本发明公开了一种光纤井下垂直地震剖面系统，该系统包括：在地面部分的光源，用于给光纤检波器提供光源；在地面部分的解调设备，用于光电转换并解调出地震波信号；在井下部分的连接保护单元，用于保护井下部分光缆之间的熔接点，在地面部分的光源和解调设...

本发明公开了一种用于高温油井的光纤检波器温度补偿结构，包括：支撑筒（１０），用于保护光纤检波器内部结构；安装于支撑筒两端的两个带孔端盖（２０），用于光缆的连接；安装于支撑筒（１０）的一侧与端盖（２０）之间的第一膜片（３１），用于连接和固...

本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路，该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路，其中，整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号，权重自适应电路调整两神经元之间的相互耦合强度，作为...

一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅...

一种基于Ｙ波导的双分布反馈激光器＋双放大器的制作方法，包括：在Ｎ型磷化铟衬底上依次外延制作ＩｎＰ缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅...

本发明提供一种在Ｓｉ衬底上分子束外延生长ＧｅＳｎ合金的方法，包括如下步骤：步骤１：在Ｓｉ衬底上生长一层第一Ｇｅ材料层；步骤２：在第一Ｇｅ材料层上生长一层第二Ｇｅ材料层；步骤３：在第二Ｇｅ材料层上生长一层第一ＧｅＳｎ合金层；步骤４：在第一...

本发明公开了一种用于记录神经活动电信号的柔性探针电极，包括：柔性基底、电极位点、金属连线、引线焊点和柔性绝缘层，其中，电极位点和金属连线均设置在柔性基底上，每个电极位点由引出的金属连线连接到对应的引线焊点上，金属连线表面有柔性绝缘层，电...

一种二维独立角度光学调整架，包括：一外镜架，在其底部有一圆孔；一内镜架，在其中间开有一台阶状的通孔；一中镜架，在其底部有一孔洞，该中镜架位于内镜架的上方；一镜片位于内镜架的通孔内；一第一摆动机构包括第一紧定螺钉和第二紧定螺钉，该二紧定螺...

一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤１：选择一ｎ＋型ＧａＡｓ单晶片作为衬底；步骤２：在衬底上依次生长ｎ型ＧａＡｓ层和本征ＧａＡｓ缓冲层；步骤３：在本征ＧａＡｓ缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的...

本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦...

本发明提供一种介质柱光子晶体零色散慢光波导，包括：一衬底；多个耦合腔，该耦合腔为矩形柱体，该耦合腔成一排直线竖立制作在衬底中间部位的上面，用于对慢光模式的调节；多个介质柱，该介质柱为圆柱体，该介质柱成多排直线竖立制作在衬底的上面，而位于...

本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的有机组合，实现了...

本发明提供一种适用于半导体激光器的老化夹具，其中包括：一主体，该主体为一印刷电路板，在该主体的中间开有一凹槽，该主体中间的凹槽是方形、条形或Ｔ字形，该主体上面的凹槽的两侧开有螺孔，该螺孔与盖板上的圆孔对应；一带有激光器的热沉，该热沉位于...

本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电子束曝光的时间，...

本发明公开了一种制备非极性ＧａＮ基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性ＧａＮ薄膜；以及在该非极性ＧａＮ薄膜上生长非极性ＧａＮ基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得...

本发明公开了一种制备非极性ＧａＮ基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性ＧａＮ基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对ＧａＮ基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的ＧａＮ基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获...