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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
基于双光子激发的肿瘤诊断和光动力肿瘤治疗仪器制造技术
本发明公开了一种基于双光子激发的肿瘤诊断和光动力肿瘤治疗仪器,包括近红外半导体激光光源(1)、光功率检测模块(2)、光耦合模块(3)、光纤接口模块(4)、电源模块(5)、荧光光谱分析模块(6)、系统保护报警模块(7)、系统控制模块(8)...
垂直发射量子级联激光器结构制造技术
本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层;金属光栅层,该金属光栅层位于接触层的上面,并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
一种超高真空多功能综合测试系统技术方案
本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统,包括:第一超高真空室;第二超高真空室,该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接;常压室,该常压室与第二超高真空室真空密封连接;以及一系统支架,该系...
10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法技术
本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法,包括如下步骤:(A)将一衬底烘干、脱氧,以其作为量子阱红外探测器的承载体;(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层,以及N型掺杂的上欧姆接触...
一种化学气相沉积装置制造方法及图纸
本发明公开了一种化学气相沉积装置,该装置包括多个独立的生长室,该多个独立的生长室位于一箱体之内,使用机械臂进行样品的传递,分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长,以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明,解决了...
应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法技术
本发明公开了一种应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法。在植入式神经信号记录微系统中,神经信号记录微电极,神经信号预处理电路和发射机集成在一起,并植入到人的体内。神经信号记录微电极提取神经信号,经过预处理电路的处理,由发射机通...
一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法技术
本发明公开了一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法。该结构包括一钕铁硼永磁体、一一维电动平移台及其控制器,其中钕铁硼永磁体通过自制加工件固定在一维电动平移台的台面上。本发明提供的基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法,利用钕铁硼永磁体和一维...
一种光电分离的太阳能电池背反射器制造技术
本发明公开了一种光电分离的太阳能电池背反射器,包括透明导电薄膜(3)、透明衬底(4)和高反射材料(5)三层结构,其中透明衬底(4)一侧没有织构,而另一侧有织构,透明导电薄(3)沉积在透明衬底(4)没有织构的一侧,高反射材料(5)沉积在透...
一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法技术
本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅...
一种集成化可重构光插分复用器制造技术
本发明公开了一种集成化可重构光插分复用器,该可重构光插分复用器单元采用级联可调双微环谐振器作为基本单元,包含有多个级联可调双微环谐振器,其中每个级联可调双微环谐振器均包括两条互不交叉的直波导和两个半径不同的环形波导,该两个环形波导位于两...
基于近红外光谱与信息处理的玉米品种鉴别方法技术
本发明公开了一种基于近红外光谱与信息处理的玉米品种鉴别方法,该方法使用傅里叶变换漫反射近红外光谱仪采集玉米种子的光谱数据,根据光谱特点,采用归一化主成分分析,即将样本点在各主轴上的投影的平方和归一化,调整样本点在特征空间中的分布,并根据...
一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构制造技术
本发明公开了一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构,该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4),其中,第一...
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法技术
本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法,包括:将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡,对激光器bar条进行钝化处理,并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层;用去离子水冲洗bar条,并用丙酮、异丙醇脱水后...
一种基于人类视觉特性的仿生人脸检测方法技术
本发明公开了一种基于人类视觉特性的仿生人脸检测方法,包括:步骤1:对输入的含有人脸的图像进行图像预处理;步骤2:对预处理后的图像进行区域规则判断和人眼分块匹配的筛选,得到人眼分块的筛选区;步骤3:对人眼分块的筛选区进行区域规则判断和多关...
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法技术
本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法,包括:选用一衬底,并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理;用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室,在氮化后的衬底上生长InGaN薄...
采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法技术
一种采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓的方法,其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮,该方法包括如下步骤:步骤1:将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理,得到洁净的蓝宝石衬底;步骤2:往反应腔内输入反应...
氮化镓系发光二极管制造技术
一种氮化镓系发光二极管,包括:一衬底;一氮化镓成核层,该氮化镓成核层制作在衬底上;一缓冲层制作在成核层上;一n型接触层制作在缓冲层上,该n型接触层由n型氮化镓构成;一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面,所述活性发...
一种基于分组稀疏表示的模式识别分类方法技术
本发明公开了一种基于分组稀疏表示的模式识别分类方法,该方法包括:通过求解线性方程的最小二乘解获得待识别样本的初始表示;在线性方程的解空间内补偿较小的分组系数,逐步增强解向量在分组稀疏模型意义下的稀疏性,反复迭代直到收敛,获得样本的分组稀...
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法技术
本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层;步骤3:采用MOCVD方法,通入铟源和氮源,在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄...
一种基于人类视觉特性的仿生图像复原方法技术
本发明涉及图像处理技术领域,公开了一种基于人类视觉特性的仿生图像复原方法,包括:步骤1:对图像进行亮度提取;步骤2:采用高斯滤波计算当前点的邻域平均亮度;步骤3:利用人眼的主观亮度感觉与实际光强对数的局部线性关系,对图像进行局部对比度调...
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