一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：　　　　一衬底；　　　　一低温氮化镓或高温氮化铝层，该低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；　　　　一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温...

一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘ＧａＡｓ衬底；一ＧａＡｓ底接触层制作在半绝缘ＧａＡｓ衬底上；一下ＧａＡｓ隔离层制作在ＧａＡｓ底接触层上的一侧，在ＧａＡｓ底接触层上的另一侧形成一台面；一１０个周期的ＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ点－阱...

一种减薄抛光用的精密磨抛头机械装置，其特征在于，包括：一外套，该外套包括：一上层环体；一下层环体，该上层环体和下层环体之间由多个连接杆固定连接；一中层，该中层为圆形片体，该中层位于上层环体的下方、固定在多个连接杆的内侧，该中层中间的位置...

一种δ掺杂制备Ｐ型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤１：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤２：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤３：向反应室中通入锌源...

一种基于氮化铝缓冲层的硅基３Ｃ－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤２：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤３：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤４：缓冲层生长结...

一种氮化镓基小芯片ＬＥＤ阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一Ｎ－ＧａＮ层制作在蓝宝石衬底上，该Ｎ－ＧａＮ层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在Ｎ－ＧａＮ层上的最上面；一Ｐ－ＧａＮ层制作在有源层上；一Ｒｕ／Ｎｉ层制作在Ｐ－ＧａＮ层的中间部位...

一种ＧａＮ基功率型ＬＥＤ的Ｐ、Ｎ双透明接触电极，包括：一蓝宝石衬底；一Ｎ－ＧａＮ层制作在蓝宝石衬底上，该Ｎ－ＧａＮ层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在Ｎ－ＧａＮ层上的最上面；一Ｐ－ＧａＮ层制作在有源层上；一Ｒｕ／Ｎｉ层制作在Ｐ－Ｇａ...

本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤２：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤３：进行干法刻蚀，将金属掩膜的图形转...

本发明一种ＭＯＣＶＤ生长掺杂半导体材料的低温退火方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上采用ＭＯＣＶＤ方法生长一层或多层外延层；步骤３：在外延材料表面淀积一层或多层金属薄层；步骤４：退火；步骤５：腐蚀掉外延材料...

本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提...

本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法，该方法包括：Ａ．在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术，将曝光图形转移到光刻胶掩膜上，控制图形最小线条尺寸在纳米量级；Ｂ．以光刻胶为掩模，采用电感耦合等离子体Ｉ...

一种制作光子晶体结构ＧａＮ基发光二极管的方法，包括：在衬底上依次外延Ｎ－ＧａＮ层、有源层和Ｐ－ＧａＮ层，形成ＧａＮ基ＬＥＤ的材料结构；在ＧａＮ基ＬＥＤ的材料结构上的Ｐ－ＧａＮ层上生长ＩＴＯ层；在ＩＴＯ层上淀积一层ＳｉＯ↓［２］掩蔽层；腐...

一种利用图形化衬底提高ＧａＮ基ＬＥＤ发光效率的方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；光刻出光刻胶图形阵列；以光刻胶图形阵列作掩膜，刻蚀出具有图形结构的二氧化硅膜；以具有图形结构的二氧化硅膜作为掩膜，刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝...

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内...

一种光学复合膜作电极的ＧａＮ功率型ＬＥＤ的制备方法，包括：依次在衬底外延生长Ｎ－ＧａＮ层、有源层、Ｐ－ＧａＮ层；在其上沉积一层掩蔽层，涂光刻胶，并刻出Ｎ－ＧａＮ电极区域；在Ｎ－ＧａＮ电极区域上刻蚀，形成Ｎ－ＧａＮ电极区；去除剩余掩蔽层，...

一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长Ｎ型接触层、有源区和Ｐ型接触层；刻蚀，将器件隔离；在Ｐ型接触层上制作ＩＴＯ光学膜；在ＩＴＯ光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ＩＴＯ膜区...

本发明公开了一种具有双量子点接触结构的硅基单电子器件，包括：在ＳＯＩ衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶、硅漏极导电台阶、硅库仑岛和侧栅电极欧姆导电台阶，硅库仑岛位于硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶之间，通过量子点接触与硅源极导电台阶及硅漏...

本发明公开了一种围栅控制结构的硅基单电子晶体管，包括：在ＳＯＩ衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶、硅漏极导电台阶、硅纳米电导线以及量子点接触结构，硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶左右对称的分布于绝缘层表面，并通过硅纳米电导线相连接，量子点...

一种硅基单电子神经元量子电路，该电路包括：一单电子突触电路单元，由围栅型硅基单电子器件实现权值的存储，对并行输入的信号进行加权求和；一单电子阈值门限电路单元，该单电子阈值门限电路单元的输入端与单电子突触电路单元的求和结点相联，该求和结点...

本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；...