一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的ＧａＮ薄膜的方法，包括如下步骤：步骤１：选择一大失配衬底；步骤２：在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并且阻止回熔刻蚀反应；步骤３：在氮化物复合缓冲层上生长一层Ｇ...

本发明公开了一种电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和Ｎ阱构成的ＰＭＯＳ电容，其中源、漏和Ｎ阱连接到电容装置的Ａ端口，多晶硅栅连接到电容装置的Ｂ端口；同一层金属之间的第一电容，该同一层金属由两个连接到电容装置Ａ端口和...

本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和Ｎ阱构成的ＰＭＯＳ电容；多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容；同一层金属之间的第二电容，其中该同一层金属由金属方块阵列构成，且每一个金属方块与其相邻的...

一种ＨＰＴ结构的ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格红外光电探测器，包括：一ＧａＳｂ衬底，利用分子束外延方法在ＧａＳｂ衬底上依次制备出ＧａＳｂ缓冲层、ＧａＳｂ收集区、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格基区、ＡｌＧａＡｓＳｂ基区、ＡｌＧａＡｓＳｂ发射区以及Ｇａ...

一种带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的一侧制作有反射光栅，在衍射光栅的另...

一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于８０μｍ，与...

一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤１：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤２：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤３：将反应液冷却至室温；步骤４：向反...

一种利用三维极化感应空穴气提高ＬＥＤ发光效率的方法，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、ｎ型层、有源区、宽禁带势垒层和ｐ型层，形成外延片；步骤３：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达ｎ型...

本发明公开了一种紧凑型瞬时微波频率光子测量系统，包括：接收天线、微波功率放大器、高速直调激光器、环行器、可调谐相移光栅、可调谐Ｍ－Ｚ干涉仪、第一高速光子探测器、第二高速光子探测器和比较器。微波信号加载到了一个波长可调谐、直接调制激光器上...

一种基于马赫－曾德尔结构的硅基光波导温度传感器，是利用其透射光谱对温度的敏感性来实现对温度的传感，包括：一激光器；一Ｙ型波导，该Ｙ型波导的一端为入射波导，入射波导的一端有一第一正锥，该Ｙ型波导的第一正锥通过光纤与激光器连接；该Ｙ型波导的...

本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池ｉ／ｐ界面来实现，是在ｐ层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的ｉ／ｐ界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，...

本发明公开了一种基于微环谐振器结构的全光逻辑异或非门结构，该结构包括第一纳米线波导、第二纳米线波导和微环谐振腔，其中第一纳米线波导与第二纳米线波导互相平行，微环谐振腔位于第一纳米线波导与第二纳米线波导之间，且微环谐振腔与第一纳米线波导之...

一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层...

本发明公开了一种光纤海底地震仪，包括：球型壳（１０），用于光纤海底地震仪的内部结构保护；安装于球型壳（１０）内部的支座（３０）；安装于支座（３０）上的至少一支光纤加速度计（２１），用于测量地震波信号，其尾纤通过光缆（２２）引出；安装于球...

一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤２：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤３：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤４：在第一金属层上和绝缘柱体的表面...

本发明涉及ＬＥＤ芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统ＬＥＤ工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现ＬＥＤ芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能有效提高ＬＥＤ的...

本发明公开了一种三角形ＧａＮ基发光二极管芯片的对称电极，属于ＬＥＤ芯片技术领域。ＬＥＤ芯片形状为三角形，Ｎ型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，Ｎ型条形电极自Ｎ型焊盘出发沿三角形ＬＥＤ芯片的边缘环绕一周，Ｐ型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，...

本发明公开了一种平行四边形ＧａＮ基发光二极管芯片的对称电极，属于ＬＥＤ芯片技术领域。ＬＥＤ芯片形状为非矩形的平行四边形，Ｎ型焊盘位于平行四边形的一个角上，Ｎ型条形电极自Ｎ型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，Ｐ型电极的焊盘位于平行四边形芯...

本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的...

本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；ｐ型硅基衬底；ｎ型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特...