一种高电压偏置ＰＭＯＳ电流源电路，包括：一高增益运算放大电路；一温度和电源无关的电压产生电路通过节点２和３与高增益运算放大电路的输入端连接，从而实现钳制输出的作用；一启动电路，该启动电路的输出连接到与温度和电源无关的电压产生电路的节点２...

本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种恒温装置，该恒温装置包括加热器、致冷器、搅伴器、温度传感器和控制单元，该控制单元包括ＰＩＤ温度控制器和开关模式温度控制器，根据温度传感器所测的温度，所述ＰＩＤ温度控制器通过ＰＩＤ算法控制加热器...

一种恒温装置，包括恒温槽、恒温液体介质、温度传感器、半导体致冷器、温度控制仪、功率转换器和转动机构；其中恒温槽为双层结构，在恒温槽中有一内槽，内槽中装有恒温液体介质，在两槽体之间装有固体保温介质；温度传感器置于恒温液体介质内，温度传感器...

一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；（２）对上述基片进行载氢；（３）对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率...

本发明提出了一种槽缝式低耗光波导耦合器，涉及光子器件技术，整个结构制作在ＳＯＩ衬底上，是基于槽缝式波导的一种新颖的连接标准光纤和光波导的耦合器，槽缝式波导两侧是硅材料，中间的狭缝为空气，外包覆层也可以淀积二氧化硅。槽缝式波导直接跟亚微米...

一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法，包括如下步骤：ａ＞用分子束外延技术在（００１）砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构，砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜；ｂ＞在晶片表面光刻出所需图形，在晶片...

本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗ＳＯＩ材料称底；在ＳＯＩ称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响...

一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导，其结构包括：一硅衬底，一在硅衬底顶上的氧化物层，以及一在氧化物顶层上的单晶硅层，其中氧化物顶层上的硅层上有一脊形光波导，其特征在于：波导的脊形部分截面形状由一个矩形顶部和一个等腰梯形底部构成，波导对...

一种利用光掩模板作无源对准的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：ａ）采用光刻工艺中广泛使用的光掩模板作对准标尺，利用光掩模板上精细、精确的标记图形作对准标记；ｂ）将所需对准的两个器件分别与事先作在同一块光掩模板上的标记图形对准，并相对...

本发明涉及信息光电子技术领域，一种光路折叠式波导光开关阵列及其方法。包括：各级２×２光开关单元；各级２×２光开关单元之间的连接光波导；对连接光波导进行９０°转折的若干组微型全内反射镜；光开关驱动电极。在工艺上，这种光路折叠式波导光开关阵...

本发明涉及光通讯系统技术领域，特别是一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺。包含以下步骤：（１）生成第一掩模层；（２）刻蚀形成台阶结构；（３）生成第二掩模层；（４）各向异性刻蚀第二掩模层；（５）形成掺杂区。在所述自对准工艺中，由于刻蚀所述第...

本发明涉及热光调谐滤波器技术领域，公开了一种光子晶体可调谐滤波器，该光子晶体可调谐滤波器由在绝缘层上硅（ＳＯＩ）衬底上依次生长的下反射镜、间隔层和上反射镜，以及贯穿上反射镜、间隔层、下反射镜和ＳＯＩ衬底顶层硅的空气孔构成。本发明同时公开...

一种紫外光直写制作掺铒杂化ＳｉＯ↓［２］光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：先用热氧化法在单晶Ｓｉ衬底上生长下包层；步骤２：利用有机／无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性ＳｉＯ↓［２］材料；步骤３：在下包层上旋涂光敏性...

一种三电容ＭＯＳ硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一ｎ型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一ｎ＋注入层制作在ｎ型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在ｎ型单晶硅层上的凹槽...

一种量子点光调制器有源区结构，包括：一ｎ型衬底；一ｎ型缓冲层生长于ｎ型衬底之上，该ｎ型缓冲层的生长可有效防止衬底缺陷向外延层扩展；一第一未掺杂层生长于ｎ型缓冲层之上，提供了外加电压的作用空间；一量子点层生长于第一未掺杂层上面；一第二未掺...

本发明提出的ＳＯＩ衬底标准ＣＭＯＳ工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中ｎ阱和衬底形成的ｐｎ结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载...

本发明一种多模干涉型光学衰减器，该多模干涉型光学衰减器包括一个输入波导区、两个锥形过渡区、两个多模干涉区、两个双锥形过渡区、一个调制区和一个输出波导区共九个部分，其中一个锥形过渡区的前端与输入波导区的尾端相连，其尾端与多模干涉区的前端相...

一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：　　　　１）在ｎ型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；　　　　２）光刻腐蚀出宽为１μｍ左右的与［０１１］晶向有７度偏移的有源区斜条；　...

一种基于混合集成的光子晶体滤波器，其功能是在红外和可见光波段中阻止某个或多个波长信号，而让其余信号通过器件，包括：一基底；一下包层，该下包层制作在基底上；一下条形波导，该下条形波导制作在下包层上，其折射率大于下包层折射率；上波导，该上波...

本发明涉及光子学技术领域，特别是一种硅基并联ＭＯＳ电容结构高速电光调制器及制作方法。由ＳＯＩ衬底，电极，双栅氧化层，多晶硅波导层以及氧化硅包层构成，对称的ＭＯＳ并联电容结构构成了器件的有源区，电极和重掺杂多晶硅层形成良好欧姆接触，电极由...