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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构制造技术
一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构,包括:一MZI调制器结构,包括第一调制臂和第二调制臂,该第一和第二调制臂为脊形光波导结构,该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’,在第一和第二内脊区两旁的第一...
利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置及方法制造方法及图纸
一种利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置,包括:一方波发射器;一DBR激光器,该DBR激光器经一电阻与方波发射器的输出端连接;一3dB的耦合器,该3dB的耦合器的两个输入端的一端与DBR激光器的输出端连接;一掺铒光纤放大器,该掺铒...
GeSn合金的外延生长方法技术
一种GeSn合金的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中;步骤2:将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上,对真空腔抽真空,对衬底加热;步骤3:对Sn固体金属加热,使Sn固体金属...
减少激光剥离损伤的方法技术
一种减少激光剥离损伤的方法,包括如下步骤:步骤1:将外延片置于一底板上;步骤2:将底板加热,该底板加热,是电阻加热、射频加热或外部光源加热,该底板加热的温度范围在100-600℃;步骤3:利用激光剥离设备的激光扫描,对外延片进行剥离,该...
光纤水听器拖曳阵保护支架制造技术
本发明公开了一种光纤水听器拖曳阵保护支架,该光纤水听器拖曳阵保护支架包括:主体支架(10),用于支撑、连接其两端部的第一托架(11)和第二托架(12);第一托架(11)和第二托架(12),位于主体支架(10)两端,用于固定水听器(30)...
可用于陆地及水下的光纤激光检波器制造技术
本发明公开了一种可用于陆地及水下的光纤激光检波器,包括:主体筒,其内部安装有至少两个膜片及至少一个质量块,质量块安装于两个膜片之间;衬筒,安装于主体筒的内表面,用于支撑膜片;延长筒,连接于主体筒,用于为光纤激光器保留足够的空间,并压紧膜...
制作纳米尺寸间距的电极的方法技术
一种制作纳米尺寸间距的电极的方法,该方法包括:在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层;在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料...
制作纳米管道的方法技术
一种制作纳米管道的方法,包括如下步骤:在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层;在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面...
基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器制造技术
一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器,包括:一衬底;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层制作在衬底上;一I型有源层,该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间,该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积,使N型欧姆接触层的两侧各形成...
Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法技术
一种III族氮化物纳米材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜;步骤2:采用两步快速热退火方法,使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒;步骤3:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模,采用...
提高电光调制器调制带宽的可集成化方法技术
一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,该方法包括如下制作步骤:步骤1:在高速电路板上制作高通滤波器,高通滤波器输入端电极与高速电路板边缘靠齐;步骤2:将同轴射频转接头与高速电路板上的高通滤波器的输入端电极焊接在一起;步骤3:在靠近高...
利用固定相移来测量同频信号相位差的方法技术
一种利用固定相移来测量同频信号的相位差的方法,包括:将两个同频率的只含有齐次谐波分量的原信号,即基准信号与测量信号分别经过相同的相移,得到两个延时后的信号;将经过相同相移的两个延时后的信号与基准信号和测量信号比较幅值,在每个交点前、后引...
一种基于特征分析的粒子群聚类方法技术
本发明公开了一种基于特征分析的粒子群聚类方法,包括以下步骤:步骤1:将样本空间待聚类的点集{X}通过核主分量KPCA方法投影到特征空间得到特征点集{S},求出特征点集{S}的非零特征值及其对应的特征向量;步骤2:特征挑选,选取相应p个特...
具有大动态范围和高分辨率的光谱测量方法技术
一种具有大动态范围和高分辨率的光谱测量方法,包括:将可调谐激光器,被测光器件和光谱仪依次连接;设置可调谐激光器的波长扫描范围,步长以及每个波长的保持时间,设置光谱仪的波长范围,分辨率和扫描时间;进行第一次扫描,获得被测光器件的整体光谱图...
利用氧化锌提高LED光提取效率的方法技术
一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法,包括以下步骤:步骤1:取一GaN基发光二极管外延片;步骤2:在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜;步骤3:利用湿法化学腐蚀的方法,腐蚀ZnO单晶薄膜的表面,使ZnO单晶薄膜...
利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法技术
一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法,包括如下步骤:步骤1:减薄,将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄;步骤2:抛光,将减薄的衬底抛光,去除减薄研磨过程中产生的机械应力;步骤3:利用激光划片技术,将激光聚焦在抛光后的衬底背面...
紫外-红外双波段探测器及其制作方法技术
本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法,其中紫外-红外双波段探测器,包括:一紫外波段探测器;一红外波段探测器,该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起,该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提...
通过功率-电流曲面获得激光器动态特性的方法技术
一种通过功率-电流曲面获得激光器动态特性的方法,具有以下步骤:步骤1:提供要测试的激光器;步骤2:在激光器的直流输入端接一驱动电源,激光器的高频输入端通过同轴电缆连接到矢量网络分析仪的信号输出端,激光器的输出端通过光纤连接一光探测器,光...
采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构制造技术
一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构,包括:一衬底,用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,制作在GaAs衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下渐变光陷阱层,制作在N型下限制层上;一上渐变光陷阱层,制作在...
一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构制造技术
本发明公开了一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构,包括纵向结构及横向结构,其中,纵向结构为一种空气桥多层结构,从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层;横向结构是一光子晶体波导,该光子晶体波导设计在纵向结构的半...
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