本发明公开了一种对二氧化硫气体进行检测的装置及方法，该装置由量子级联激光器（１）及其驱动电源（７）、ＺｎＳｅ透镜（２）、气室（３）、双路麦克风电源（４）、锁相放大器（５）和计算机（６）构成；其中，驱动电源（７）激励量子级联激光器（１）发...

本发明公开了一种调节ＧａＡｓ基二维光子晶体微腔共振模式的方法，包括如下步骤：Ａ、制作ＧａＡｓ基二维光子晶体；Ｂ、将ＧａＡｓ基二维光子晶体置于过氧化氢中氧化，在ＧａＡｓ表面形成一定厚度的氧化层薄膜；Ｃ、在常温下用质量浓度为１８％的盐酸溶液...

本发明提供一种用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列，包括：一基底，该基底为柔性材料，该基底包括：一柔性面层，一柔性背层，该柔性面层和柔性背层的周边固定，中间形成一腔室；多个微针镶嵌在基底中的柔性面层上，所述微针的中间有一微孔，微孔与...

一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可...

一种三片式微型散热器，包括：一上盖，为矩形，上盖上横向上下开有两个上出水孔和上入水孔，在上盖纵向下面的一侧固定有一层直立排列的散热层；一通水层，为矩形，与上盖对应，通水层上横向上下开有中出水孔和中入水孔，在通水层的纵向上面的一侧开有一矩...

本发明公开了一种硅基集成化光学异或及同或运算单元及其阵列，基本结构为微环谐振器，采用硅基纳米线波导制作。该逻辑运算单元用激光脉冲表示一个逻辑变量，用电调制信号表示另一个逻辑变量，同时完成二者的异或及同或运算。由该逻辑运算单元组成的阵列则...

本发明一种制备有序Ａｌ纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取一衬底；２）在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；３）利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；４）利用高纯Ａｌ靶作为金属Ａｌ薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴...

一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微...

一种透明电极ＧａＮ基ＬＥＤ结构，包括：一衬底；一Ｎ型ＧａＮ层，该Ｎ型ＧａＮ层生长在衬底上；一ＧａＮ材料有源层，该ＧａＮ材料有源层制作在Ｎ型ＧａＮ层上，该ＧａＮ材料有源层的面积小于Ｎ型ＧａＮ层的面积，而位于Ｎ型ＧａＮ层的一侧，在Ｎ型ＧａＮ...

本发明公开了一种利用半导体照明进行通信的系统，该系统包括传送光信号的传送设备（１）和接收光信号的接收设备（２），传送设备（１）将待传送的数据转变成光信号进行传送，接收设备（２）将接收自传送设备（１）的光信号转换成电信号，并进行显示。本发...

本发明公开了一种带有光子晶体反射面和垂直出射面的ＦＰ腔激光器，该激光器包括：带有有源区的ＦＰ腔结构、位于该ＦＰ腔结构高反射端的反射面，以及位于该ＦＰ腔结构出射端的反射面。该激光器具有超短的带有有源区的ＦＰ腔结构，该ＦＰ腔两端的反射面分别...

本发明公开了一种单边带调制时域展宽模数转换器，包括：超连续激光光源（１０），用于产生超短光脉冲串，将超短光脉冲串通过第一光纤（１）输出给电光调制器（３０）；混合式耦合器（２０），用于对由第一端口接收的待测电信号进行耦合，输出频率相同相位...

本发明公开了一种量子级联正多边形微腔激光器，包括：一量子级联外延层的衬底；一下限制层，位于该衬底之上；一有源区／注入区，位于该下限制层之上；一上限制层，在该有源区／注入区之上；一上包层，包含欧姆接触层；该下限制层、有源区／注入区、上限制...

本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极（１）、ｎ型衬底（２）、下ＤＢＲ（３）、有源区（４）、氧化层（５）、刻有空气孔的上ＤＢＲ（６）、ｐ型盖层（７）和上环形电极（８）、空气...

本发明公开了一种集成电感电容压控振荡器，包括：四个可编程的负阻型ＬＣ振荡核心电路；一个与该四个可编程的负阻型ＬＣ振荡核心电路相连接的公共输出级；以及一个电流大小可编程的偏置模块，该偏置模块通过受控开关连接于该四个可编程的负阻型ＬＣ振荡核...

本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一Ｎ型砷化镓衬底；一Ｎ型砷化镓缓冲层，生长在Ｎ型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一Ｎ型铝镓砷光学下限制层，生长在Ｎ型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层...

本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的ＡｌＧａＡｓ牺牲层；在ＡｌＧａＡｓ牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度ＩｎＡｓ量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将...

一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体ＧａＡｓ衬底；一第一半导体ＧａＡｓ接触层，制作在半绝缘半导体ＧａＡｓ衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体ＧａＡｓ接触层上，该第一半导体ＧａＡｓ接触层的一侧形成...

一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体ＧａＡｓ衬底；一第一半导体ＧａＡｓ接触层，制作在半绝缘半导体ＧａＡｓ衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体ＧａＡｓ接触层上，在第一半导体ＧａＡｓ接触层的一侧形成一...

本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤１：对衬底进行清洗；步骤２：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤３：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤４：对光刻胶进行减薄处理；步骤５：高温坚膜；步...