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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
拉伸式光纤延时器制造技术
一种拉伸式光纤延时器,包括:一个长方体金属外壳,具有前、后、两侧和底面五个面,长端的一面安装两个法兰盘,长端两侧面的1/4处对称位置开两个长方形小孔;两个压电陶瓷微调架,固定在金属外壳长端两侧面的两个长方形小孔外侧;一第一轴杆,两头穿过...
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法技术
本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法,其中包括以下步骤:步骤1:取一单晶片体,使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光;步骤2:再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光;步骤3:对机械抛光和化学抛光后的单晶片体,进行化学腐蚀。
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法技术
本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法,该方法包括:步骤1:在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜;步骤2:对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜;步骤3:采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀,具有工...
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法技术
本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法,该方法包括:步骤1:对样品进行清洗并预热;步骤2:在样品上淀积氮化硅薄膜;步骤3:对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源,方法简单快捷,普适性强,可淀...
一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法技术
本发明公开了一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法,使用选择性合金电镀方法制备垂直结构发光二极管,利用光阻材料在P型氮化镓面跑道内进行填充,使用选择性电镀工艺制备镍钨合金支撑衬底,利用激光剥离蓝宝石衬底,得到垂直结构发光二极管。本发明...
高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构制造技术
一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构,其中包括:一衬底,用于在其上生长激光器各外延层材料;一缓冲层,制作在衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下波导层,制作在N型下限制层上;一有源区,制作在下波导层上;一界面层,制作在有...
带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构制造技术
一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构,其中包括:一衬底,该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一第一N型下限制层,该第一N型下限制层制作在缓冲层上;一倒V型耦合光波导层,该倒V型耦合光波导层...
低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法技术
一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法,该方法包括:取一衬底,在衬底上生长一器件外延层;对器件外延层进行表面清洗;采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除;光刻,将光刻板上的图形转移到器件外延层上;在器件外延层的表面生长透明电极层;剥离、...
LD单管光束整形模块制造技术
本发明提供一种LD单管光束整形模块,包括:一个热沉,该热沉为矩形体,该热沉的顶部的对角方向开有一个对角槽,在对角槽的一侧与对角槽平行开有另一个凹槽,在热沉上的对角槽相邻的两侧壁上分别各开有两个固定螺孔;四个半导体单管准直模块,分别固定在...
利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法技术
一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤1:在激光器的出光面上制作一层金属薄膜;步骤2:在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂;步骤3:把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上;步骤4:采用压印...
生长氧化锌薄膜材料的方法技术
一种生长氧化锌薄膜材料的方法,包括:选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底;选用甲醇作为氧源,二乙基锌作为锌源;将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上;将反应室抽真空后再充氮气升压,如此反复两次,以排净反应室中的空气;...
基于FPGA实现的双向高速FIFO存储器制造技术
本发明属于存储器技术领域,公开了一种基于FPGA实现的双向高速FIFO存储器,包括第一异步总线接口模块、第一通讯信箱、第一单向异步FIFO读写模块、第二异步总线接口模块、第二通讯信箱和第二单向异步FIFO读写模块。该双向高速FIFO存储...
一种微分光脉冲时域展宽模数转换器制造技术
一种微分光脉冲时域展宽模数转换器,包括:一超连续激光光源;一电光调制器,该电光调制器的输入端经第一光纤与超连续激光光源的输出端连接,该电光调制器接收待测电信号,接入偏置电压;一延时器,该延时器的输入端与电光调制器的正相信号输出端连接,使...
一种制作黑硅材料的方法技术
本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法,该方法包括:步骤1:将硅片置于硫系物质环境中;步骤2:利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源,先后扫描辐照硅片表面,形成包...
采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法技术
本发明公开了一种采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法,该方法包括:步骤1:将硅片置于硫系物质环境中;步骤2:利用经过透镜聚焦的激光扫描辐照硅片表面,形成具有硅微锥、硅微粒和硅微洞的黑硅材料。利用本发明,所使用的激光脉冲宽度为纳...
电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法技术
本发明公开了一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法,包括:选择一磷化铟衬底;在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区;在多量子阱有源区上制作一光栅;在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层;在光限制层上生长电接触层;在电接触层上制...
微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法制造方法及图纸
一种微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置,包括:一光学测量单元,用于测量微机电系统机械组元的轮廓曲线,获得被测微机电系统机械组元在失效前后的三维形貌信息或动态位移信息;一环境腔室,用于放置被测微机电系统机械组元,所述各种环境条件包括真...
可扩展和重构的二维自由空间光学互连系统技术方案
一种可扩展和重构的二维自由空间光学互连系统,其特征在于,包括:一阵列光源,其可接收数据输入;一二维光开关阵列;一前光学系统,该前光学系统位于阵列光源与二维光开关阵列之间;一阵列探测器,用于数据输出;一后光学系统,该后光学系统位于二维光开...
硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法技术
本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在不锈钢衬底上,利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层,形成隧道结;步骤2:将隧道结在反应室内降至室温,取出;步骤3:用磁控...
单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法技术
本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列,其中包括:一衬底;掺杂层,该掺杂层生长在衬底的上面的两侧;一太阳电池功能层,生长在掺杂层的上面;一帽子层,生长在太阳电池功能层的上面,该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积,与太阳电池功能层一侧端对...
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