【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种，本方法使精细的纳米结构的加工变得简单，尤其使是复杂纳米结构的大面积制作的效率得到显著 提高，制作成本也得到明显降低，这对纳米结构的半导体光电器件的工业化生产有重要意 义。
技术介绍
表面等离子体激光器对激光器性能有显著的改善作用，在一些领域有特殊的应用 价值。表面等离子激光器要求在激光器出光面上制作一层金属薄膜，然后在金属薄膜上加 工高精度的、复杂的纳米结构。通常，采用传统的干涉法、电子束曝光技术(EBL技术)或者 聚焦粒子束刻蚀技术(FIB技术)在金属表面制作纳米结构，这些方法的精度虽高但成本非 常高昂，而且效率低下，对器件的工业化生产极其不利。本方法采用最新出现的纳米加工技 术，即纳米压印技术，用于制备表面等离子体激光器，能够极大降低纳米结构的加工成本， 显著提高纳米结构的加工效率，而且精度不会降低，重复性很高，这对有纳米结构的半导体 器件的工艺优化和工业化生产有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制备面发射表面等离子体激光器的方法，此方法优化 了表面等离子体激光器的制作工艺，具有系统简单，加工制作的效率高、成本低，既可实现 ...
【技术保护点】
一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤１：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤２：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤３：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤４：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤５：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤６：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤７：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤８：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋国峰，张宇，汪卫敏，陈熙，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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