一种高功率非对称宽波导９８０ｎｍ半导体激光器结构，包括：一衬底，为（１００）面的Ｎ型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为Ｎ－镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一Ｎ型下限制层，为Ｎ－铝镓砷材料，该Ｎ型下限制层制作在...

一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤１：选择一衬底；步骤２：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤３：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮...

本发明公开了一种多功能反射式磁光光谱测量系统，使用超连续白光光源、光栅单色仪、若干偏振镜片、光弹调制器、宽带１／４与１／２波片、消偏振分光棱镜（ＮＰＢＳ）、单端与差分探测器以及ＯＸＦＯＲＤ低温超导磁体系统，组成结构灵活可变的光谱探测系统...

一种同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，包括：多个微环谐振器，该多个微环谐振器制作于ＳＯＩ片上，形成微环谐振器阵列，每个微环谐振器包括一个输入波导和一个输出波导以及一个微环，该微环位于输入波导和输出波导之间；一光纤阵列，该光纤阵列并排镶...

一种基于微环谐振器的集成化可重构光插分复用器，该器件的基本单元结构包括：一横向波导和一竖直波导，形成垂直交叉波导；该横向波导包括输入端和直通端；该竖直波导包括上载端和下载端；第一微环和第二微环，该第一微环和第二微环级联，形成半径不同的级...

本发明公开了一种采用ＭＶＰＥ两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低３０至２００℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的１／１０至１倍；生长缓冲层...

本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法，包括：步骤１：在金属源化学气相沉积（ＭＶＰＥ）的生长气路上增加一路还原性气路；步骤２：将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟，并加入少量的去离子水或过氧化氢；步骤３：将清洗干净的...

本发明公开了一种用于通信的ＬＥＤ恒流源驱动电路，该电路包括信号输入电路（１）、电压偏置电路（２）和恒流放大电路（３），其中信号输入电路（１）和电压偏置电路（２）的输出端共同连接于恒流放大电路（３）的输入端，信号输入电路（１）的输出信号与...

本发明公开了一种用于通信的ＬＥＤ白光接收放大电路，该电路包括接收放大电路和ＡＧＣ电路，接收放大电路接收ＬＥＤ光信号，并对该ＬＥＤ光信号进行放大后输出给ＡＧＣ电路，由ＡＧＣ电路控制该ＬＥＤ光信号的增益补偿，最终由ＡＧＣ电路的ＡＧＣ－Ｖｏ端...

本发明公开了一种多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构，该结构是利用不同腔长的环形有源波导和不同波长的反射光栅集成而成的，包括：至少三个环形激光器，该环形激光器分别包括一环形波导谐振腔和一反射型波导光栅，其中该反射型波导光栅通过一第一双向输...

本发明公开了一种获取动目标运动参数的闪光追迹成像方法，该方法基于距离选通成像技术，采用脉冲激光器作为照明光源，采用配有选通门的ＣＣＤ作为成像器件，并通过时间延时积分的工作方式来实现运动目标运动轨迹的成像。其中，距离选通可获得目标的距离信...

本发明公开了一种在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法，包括：步骤１：选择半导体衬底，通过光刻方法在衬底上制作出条形或圆孔图形；步骤２：配置含有胶体金的溶液；步骤３：将制作出条形或圆孔图形的衬底浸入配置的含有胶体金的溶液中，...

一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤１：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤２：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤３：在金属层上制备一层相变材料层；步骤４：在相变材料层上用薄膜淀积工艺淀积一层第二绝缘材...

本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的...

本发明公开了一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置，包括：耦合棱镜；在耦合棱镜表面蒸镀的金属层；在金属层表面涂覆的传感介质层；形变布拉格反射镜；ＣＣＤ传感器；以及在ＣＣＤ传感器表面涂覆的荧光物质层。宽谱传感光束通过耦合棱镜后，特定...

一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用...

本发明公开了一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构，包括五根波导和四个双环模块，其中波导分为两部分，中间的一根波导是作为主路的主路波导，标以Ｉｎｐｕｔ和Ｏｕｔｐｕｔ，表示整个结构的输入和输出；另外的四根波导是作为分路的上下载波导，标以...

本发明公开了一种对玉米品种种子近红外漫反射光谱数据进行预处理的方法，该方法包括：从玉米品种种子的近红外漫反射光谱数据中选取一定范围的近红外漫反射光谱数据；对选取的近红外漫反射光谱数据进行离散傅里叶变换，得到变换结果数据；从变换结果数据中...

一种利用极化感应空穴实现ｐ型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤１：选取一个衬底；步骤２：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤３：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤４：在低温缓冲层上生长极性宽禁...

一种用于多结太阳电池的ＧａＡｓ／ＩｎＰ晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤１：将单面抛光的ＧａＡｓ、ＩｎＰ晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤２：将步骤１处理后的ＧａＡｓ、Ｉ...