【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米尺度金属图形制作
，特别是涉及一种制作纳米压印印章 的方法。
技术介绍
随着半导体技术的快速发展，半导体集成电路集成度不断提高，集成电路内部器件尺寸已经降低到纳米尺度，在制作纳米级器件掩蔽图形时，常规的半导体光刻技术由于 衍射极限的限制而遇到了前所未有的挑战。另外在光电子学域经常使用到各类波导、光栅 和光子晶体阵列也需要制作纳米尺度的掩模图形后转移至在器件表面。发展和完善一种高 效、精确的纳米图形制作方法已经成为必需。目前的主流微纳米图形制作方法包括常规半导体曝光和电子束曝光两种手段，常 规曝光方法制作纳米图形会受到曝光机光源的波长限制，波长越短，图形分辨率越高。但得 到功率较高、性能稳定的短波长光源非常困难，同时曝光设备价格昂贵，成本很高。电子束 曝光技术利用波长极短电子作为光刻胶曝光源，基本可以摆脱衍射极限限制，目前能够得 到几个纳米尺度的图形，但是电子束曝光作为一种控制电子束在光刻胶上的移动来写入图 形的曝光技术，效率较低，不适合制作大面积图形。纳米压印技术作为上述两种微纳图形加工技术的补充得到越来越多的应用。纳米 压印技术使用带有...
【技术保护点】
一种制作纳米压印印章的方法，其特征在于，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏伟，阚强，王春霞，陈弘达，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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