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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法技术
一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底的表面依次生长有源层和限制层,作为器件的基本结构;步骤2:在限制层的表面制作光刻图形;步骤3:光刻,在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构,刻蚀深度到达有源层的表面;步骤...
异质掩埋激光器的制作方法技术
一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射区;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉...
基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池制造技术
本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池,包括:一下电极;一N型材料层,该N型材料层制作在下电极上;一第一TCO薄膜层,该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上;一第二TCO薄膜层,该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上;一P...
一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法技术
本发明公开了一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法,该方法包括:在垂直腔面发射激光器出光腔面生长一层增透膜;在该增透膜上镀一层金属膜;腐蚀掉出光腔面以外的增透膜和金属膜;在出光腔面的金属膜上制备亚波长光栅。利用本发明,工艺成...
量子级联探测器结构制造技术
一种量子级联探测器结构,包括:一衬底;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底上,该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触;一势垒隔离层,该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位,使下欧姆接触层的四周形成台面,该势垒隔...
提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法技术
一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法,包括如下步骤:步骤1:取一条解理后的半导体激光器芯片;步骤2:通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料,在波长-反射率曲线上得到随波长红移反射率增加的薄膜...
基于微小孔激光器的扫描近场光学显微镜系统技术方案
一种基于微小孔激光器的扫描近场光学显微镜系统,包括:一近场激发样品台,该近场激发样品台包括一悬臂,该近场激发样品台用于放置样品;一半导体微小孔激光器,该半导体微小孔激光器安装于近场激发样品台的悬臂上;一探测器,该探测器位于样品台的下方,...
一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法技术
本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法,其特征在于,该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层,在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜,再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极;在n型Si衬底背面...
一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法技术
本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法,包括:步骤1:在弱n型Si衬底表面制绒,形成绒面;步骤2:在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层;步骤3:在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜,与n型Si层形成pn...
一种紫外红外双色探测器及制作方法技术
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替生长的第一本征层...
一种多用户光学无线双向数据通信系统及方法技术方案
本发明公开了一种基于照明白光LED的多用户光学无线双向数据通信系统及方法。该系统包括:一个接入控制器,连接于外部网络;多个白光LED照明光源,连接于该接入控制器;多个光学探测器,连接于该接入控制器;多个适配器;以及多个用户设备,连接于该...
利用光子晶体平板传导共振峰位移实现光开关的方法技术
本发明公开了一种利用光子晶体平板传导共振峰位移实现光开关的方法,包括:制作一基于磷化铟材料的光子晶体平板结构;搭建光开关实验光路系统,该光路系统包括:一信号光源,由信号光源发出的位于1550nm波段的入射光被分光镜分为两部分,其中一部分...
半导体纳米柱阵列结构的制作方法技术
一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在一半导体衬底上生长铝层;步骤2:对铝层进行阳极氧化,形成孔洞由表面直达半导体衬底,形成多孔氧化铝膜;步骤3:在多孔氧化铝膜的表面淀积金属,在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点;步骤...
具有纳米结构插入层的GaN基LED制造技术
一种具有纳米结构插入层的GaN基LED,其中包括:一衬底;一纳米结构模板,该纳米结构模板外延生长在衬底上,该纳米结构模板的表面为凹凸形状;一插入层,该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层外延生长在插入层上...
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法技术
本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法,包括以下步骤:步骤1:在一外延生长装置中置入硅衬底;步骤2:在硅衬底上生长锗缓冲层;步骤3:在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底,锗的原子组分大于0.5且小于1。
制作ZnO基异质结发光二极管的方法技术
本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法,包括如下步骤:1)在衬底上沉积p-GaN薄膜;2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜;3)采用湿法腐蚀,将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉,露出p-GaN薄膜,形成台面;4)在p-...
一种基于有源微环谐振器的4×4无阻塞光路由器制造技术
本发明公开了一种基于有源微环谐振器的4×4无阻塞光路由器,包括四个平行波导微环谐振器1×2光开关和四个交叉波导微环谐振器1×2光开关,所述四个平行波导微环谐振器1×2光开关连接于所述四个交叉波导微环谐振器1×2光开关,使得该路由器仅包含...
背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法技术
本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层,包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅,以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能...
一种双谐振腔与波导的耦合结构制造技术
本发明公开了一种双谐振腔与波导的耦合结构,该结构包括:一个衬底;两个制作于衬底上的谐振腔;以及一个制作于衬底上且位于两个谐振腔之间的条形输出波导。利用本发明,由于此种结构对波导与谐振腔的间隙要求不高,因此可以有效地解决了原来谐振腔与波导...
带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法技术
一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器,包括:一衬底;一下波导层生长在衬底之上,且中间有一凸台,凸台的两侧形成脊型双沟台面结构;一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上;一上波导层生长在量子级联有源区结构之上;一上包层生长在上波导层...
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