三角形ＧａＮ基发光二极管芯片的对称电极制造技术

本发明专利技术公开了一种三角形ＧａＮ基发光二极管芯片的对称电极，属于ＬＥＤ芯片技术领域。ＬＥＤ芯片形状为三角形，Ｎ型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，Ｎ型条形电极自Ｎ型焊盘出发沿三角形ＬＥＤ芯片的边缘环绕一周，Ｐ型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，Ｐ型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在ＬＥＤ芯片内部Ｎ电极与Ｐ电极对称分布，以保证三角形ＬＥＤ芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形ＬＥＤ芯片的出光效率和寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片
，尤其是涉及一种三角形GaN基发光二极管芯片的 对称电极。
技术介绍
LED作为照明光源具有节能(当LED的效率达到1501m/W时，同等亮度下能耗约为 白炽灯的1/10)、长寿命(约10万小时)、体积小、低电压、易控制、环保等优点。LED光源的 这些优点，将引发照明产业技术和应用的革命，如同半导体晶体管替代电子管一样，在若干 年后，LED作为新光源的固态照明灯，将有机会逐渐取代传统的照明灯而进入每一个角落。 目前，一般采用蓝宝石衬底的GaN外延片来制备高效率的GaN基LED。 LED芯片 形状和电极形状可以显著影响器件的发光效率、可靠性和寿命。首先，通过优化芯片形状 可以改善器件的光电特性，例如，2007年12月1日的IEEE光子科技杂志第19巻第23期 (IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS. VOL. 19. NO. 23. DECEMBER 1. 2007)上，由Ja-Yeon Kim， Mon_Ki Kwon，Jae-Pil Kim， Seong_Ju Park所著的EnhancedLight Extracti本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三角形ＧａＮ基发光二极管芯片的对称电极，包括Ｐ电极和Ｎ电极，其制备方法是：对ＧａＮ外延片进行台面刻蚀，形成Ｐ型ＧａＮ台面和Ｎ型ＧａＮ沟槽，在Ｐ型ＧａＮ材料上生长Ｐ型电极，在沟槽内制备Ｎ型电极，其特征在于：ＬＥＤ芯片形状为三角形，Ｎ型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，Ｎ型条形电极自Ｎ型焊盘出发沿三角形ＬＥＤ芯片的边缘环绕一周；Ｐ型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，Ｐ型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布；在ＬＥＤ芯片内部Ｎ电极与Ｐ电极对称分布，以保证三角形ＬＥＤ芯片的电流分布均匀，从而提高三角形ＬＥＤ芯片的出光效率和寿命。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙莉莉，闫发旺，张会肖，王军喜，王国宏，曾一平，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]