【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片
，尤其是涉及一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管 (LED)芯片的制备方法。
技术介绍
LED作为照明光源具有节能(当LED的效率达到1501m/W时，同等亮度下能耗约为 白炽灯的1/10)、长寿命(约10万小时)、体积小、低电压、易控制、环保等优点。LED光源的 这些优点，将引发照明产业技术和应用的革命，如同半导体晶体管替代电子管一样，在若干 年后，LED作为新光源的固态照明灯，将有机会逐渐取代传统的照明灯而进入每一个角落。 但是，由于GaN的折射率与空气的折射率相差很大，仅有一部分光可以从器件内 部发射出来，导致LED的发光效率较低，因此，采用各种方法来提高LED发光效率成为一个 研究的热点问题。目前，很多研究集中在采用各种技术，例如粗化技术和全反射技术等，来 提高LED芯片的正面出光，通过增加LED芯片侧面出光来提高LED发光效率尚未引起足够 重视。上海蓝光科技有限公司在公开号为CN101494273A的专利中提出了一种采用湿法腐 蚀工艺进行LED侧壁粗化，提高LED发光效率的方法，但缺点是与传统的LED工艺相比，引 入了额外的...
【技术保护点】
一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：首先对ＧａＮ外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的ＧａＮ台面和Ｎ型ＧａＮ沟槽，其中ＧａＮ台面包括Ｐ型ＧａＮ、量子阱和Ｎ型ＧａＮ，然后在Ｐ型ＧａＮ表面形成侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，再在透明导电薄膜上制备Ｐ型电极，在沟槽内制备Ｎ型电极，使ＬＥＤ芯片的所有侧壁均被粗化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫发旺，孙莉莉，张会肖，伊晓燕，王军喜，王国宏，曾一平，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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