一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在ＳＯＩ上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将ＳＯＩ的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件；步骤２：利用有机／无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料；步骤３：在ＳＯＩ的...

一种叠层ＬＤ光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：采用光学微加工工艺在石英或特种玻璃材料上加工制作光导椎，该光导椎为条状的六面体，其纵向一端的断面为斜向，且制作有光纤凹槽，纵向另一端的断面为ｂａｒ条面；步...

本发明是一种高分辨率共聚焦显微镜，包括激发光部分，由光源、调制器阵列、扩束透镜组成；样品台部分，由样品台、光学调制器阵列、物镜构成；收集光部分，由聚焦透镜、光学调制器阵列、光电倍增管构成；图像处理部分，由信号放大电路、计算机组成。本发明...

本发明公开了一种光子晶体啁啾波导慢光边发射激光器，由制作于半导体芯片上的空气孔型光子晶体结构构成，分为三个部分，左边部分为慢光波导结构，用来产生激光；右端为输出波导结构，该输出波导结构内侧相邻的两行空气孔的直径都略小于周围光子晶体的空气...

一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作...

本发明公开了一种硅基集成化的光学向量－矩阵乘法器，该光学向量－矩阵乘法器由周期性排列的纳米线微环谐振器构成，用于实现Ｎ×Ｎ矩阵与Ｎ×１向量的乘法，其中Ｎ×Ｎ矩阵与Ｎ×１向量中的元素均为０或１。该光学向量－矩阵乘法器采用绝缘体上硅材料制备...

一种能实现低频光到高频光转换的有机－无机复合器件结构，由以下部分组成：一Ｎ型层；一本征层，该本征层生长在Ｎ型层上；一Ｐ型层，该Ｐ型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在Ｐ型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长...

本发明提供一种用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在一太阳电池芯片的底部固接一软键合材料层，该软键合材料层为低熔点金属，该低熔点金属在电池的工作温度区域内为液态，低于电池的工作温度时为固态；步骤２：将...

一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处...

一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层；在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；将曝光后的结构进行选择性腐蚀；去除剩余的...

一种利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：利用标准的光刻工艺在Ⅲ族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤２：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的Ⅲ族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的Ⅲ族氮...

一种低介电常数ＢＣＢ树脂的固化方法，具体步骤如下：步骤１：在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；步骤２：通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态ＢＣＢ树脂，接着将涂覆好ＢＣＢ树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护；步骤３：加热...

本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤１：选取（１００）面偏向＜１１１＞方向６°或９°的Ｇｅ衬底；步骤２：对Ｇｅ衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤３：将进行退火处理后的Ｇｅ衬底在Ａｓ蒸气环境下...

本发明公开了一种可重构的乘法器，包括：输入单元，用于将乘数和被乘数分别输出至部分积产生单元；部分积产生单元，用于对接收自输入单元的乘数和被乘数的每一位进行操作产生一个部分积，并输出给部分积压缩单元；部分积压缩单元，用于对部分积产生单元输...

本发明公开了一种适合于芯片集成的被动型铷原子频标，包括量子系统、伺服电路、２０ＭＨｚ压控振荡器和第一２分频器；其中，量子系统由１００ＭＨｚ电离源、Ｒ↓［ｂ］↑［８７］灯、Ｒ↓［ｂ］↑［８５］滤光泡、谐振腔Ｒ↓［ｂ］↑［８７］吸收泡以及光...

本发明公开了一种用于光纤光栅切趾的可调三角形共轭振幅模板，其特征在于，包括一共轭振幅板（１９），上有正切趾光阑（１７）和反切趾光阑（１８），该共轭振幅板（１９）正面安装有上挡板（２０）和下挡板（２１），上挡板（２０）和下挡板（２１）分别...

本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备Ｖ型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：配置氢氧化铵腐蚀液；步骤２：在衬底上制作一层光刻胶；步骤３：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案；步骤４：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀...

一种ＧａＮ基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一Ｎ型欧姆接触层，该Ｎ型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在Ｎ型欧姆接触层上；一Ｐ型欧姆接触层，该Ｐ型欧姆接触层生长在有源层上；一Ｐ型欧姆接触...

一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括：在ｎ型ＩｎＰ衬底上分别外延ＩｎＰ缓冲层和介质膜；在介质膜上刻出条形凹槽，并依次生长ＩｎＧａＡｓＰ下限制层、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱、ＩｎＧａＡｓＰ上限制层和ＩｎＰ光栅...

一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至ＩｎＧａＡｓ接触层；在ＩｎＧａＡｓ接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深...