A manufacturing method of a tapered waveguide coupler, which comprises the following steps: Step 1: using electron beam lithography and inductively coupled plasma etching technology in SOI, the silicon waveguide layer etching of SOI is a conical waveguide and micro nano waveguide integrated devices; step 2: Organic / inorganic hybrid sol-gel method of preparing photosensitive sol film material utilization; step 3: 2 isolation layer and inverted cone waveguide and micro nano waveguide integrated devices coated with sol film on SOI SiO: \; step 4: sol film on spin coating before drying, step 5: sol gel; in the film by UV mask write; step 6: part of sol film other than etching the UV writing area, fiber coupling waveguide is formed, the optical fiber coupling waveguide and waveguide to form inverted cone taper waveguide coupler; step 7: Fabrication of inverted cone waveguide coupler after bake.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种光通信
光耦合器件的制作方法，特别涉及一种溶胶凝胶制作倒锥波导耦合器的方法。
技术介绍
随着对通信和信息需求的飞速发展，人们对光电子器件的集成度提出了越来越高的要求。高折射率差的SOI 4材料为制作高集成度的光电子器件提供了一个很好的平台，高的折射率差使SOI 4波导对光场的限制作用增强，因此可以大大縮小波导的尺寸。目前制作的S0工4微纳波导集成器件31已经可以达到纳米量级。然而由于单模光纤1的截面尺寸都在微米级，随着微纳波导集成器件31尺寸的縮小，使得微纳波导集成器件31和光纤1之间的耦合越来越困难。因此以较简单的工艺制作出具有较高的耦合效率的光耦合器件，对于微纳波导集成器件31的应用具用至关重要的意义。倒锥波导耦合器，具有与微纳波导制作工艺相兼容，高的耦合效率而被广泛研究。早期倒锥波导耦合器只包含倒锥波导32，但是由于倒锥尖端尺寸小，使得倒锥波导32与光纤1对准及倒锥波导32的端面抛光都很困难，所以给器件的制作和应用带来了困难。改进后的倒锥波导耦合器是在原来倒锥波导的基础上再做上一个大尺寸、低折射率的光纤耦合波导2，以减小倒锥波导32...
【技术保护点】
一种倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤１：在ＳＯＩ上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将ＳＯＩ的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件； 步骤２：利用有机／无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜 材料； 步骤３：在ＳＯＩ的ＳｉＯ２隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜； 步骤４：对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶； 步骤５：在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入； 步骤６：腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜 ，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器；...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹小杰，王玥，吴远大，安俊明，李建光，王红杰，胡雄伟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。