一种半导体激光器储存盒，包括：一Ｌ型底座，其断面为Ｌ形，在Ｌ型底座较宽的一内面与断面平行，均匀挖出多个Ｖ型斜面托，并在Ｖ型斜面托之间凸起部的前后两端开出贯通的矩形槽，该Ｖ型斜面托用于激光器热沉的置放和定位；Ｌ型底座较窄的一面为底座挡板；...

一种制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法，包括如下步骤：步骤１：在具有功能区的基片上涂覆一层光刻胶；步骤２：采用普通光学套刻的方法，将各功能区间的光刻胶去除；步骤３：腐蚀或刻蚀去除光刻胶处的上金属电极、绝缘层和欧姆接触层，形成隔离带...

本发明公开了一种光纤激光矢量水听器，包括：由圆形壳、光纤激光器、质量块、框架、弹簧构成光纤激光矢量水听器的探头部分，其平均密度等于水的密度；光源，通过波分模块连接于探头部分的光纤激光器，用于为光纤激光器提供泵浦光；波分模块，用于分离光源...

一种带侧向输出波导的微腔激光器，其中包括：一衬底；一个上层结构，该上层结构制作在衬底上，该上层结构包括：一个或多个谐振腔，该谐振腔为圆形或正多边形；一条形输出波导，该条形输出波导制作在衬底上，并与一个或多个谐振腔的侧面相连接；所述一个或...

一种晶圆表面脱液处理装置，其特征在于，其中包括：一卡口部，为空心柱体，其一端沿柱体的中心横向开有一贯通的矩形凹槽，该卡口部用于与其他高速离心旋转装置接合；一晶圆托，为盘状，一面为凸起部，另一面为凹部，该晶圆托的凸起部的中心与卡口部的未开...

本发明公开了一种用于单频激光器的激光腔型，包括：用于光纤耦合输出的泵浦源；在４５°的情况下，对于泵浦光高透，对于振荡光高反的第一平面镜；作为谐振腔的输出镜的第二平面镜；在４５°的情况下，对于振荡光高反的第三平面镜；在４５°的情况下，对于...

本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器，该ＣＭＯＳ图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路，其中：像素阵列包含多个像素点，每个像素点由多个子像素组成，各像素点中相对位置相同的子像素的复位控制和信号保持控制线连接在一起...

本发明公开了一种射频收发装置，包括：双工器、射频前端、滤波器、自动增益调整器、解调器、缓冲器、振荡器、存储器、功率放大器、基带处理器和数字控制器。本发明提供的射频收发装置，可采用广泛的ＣＭＯＳ工艺制作，电路均可芯片内实现，系统结构简单，...

本发明公开了一种快速锁定锁相环频率综合装置，该频率综合装置包括混合信号压控振荡器、双模预置分频器、数字处理器、非易失性存储器、鉴频鉴相器、电荷泵和环路滤波器。利用本发明，避免了锁相环每次上电都要校正的过程，可以在工艺偏差的情况下，准确的...

本发明公开了一种能引出高束流金属离子的冷阴极潘宁离子源，该潘宁离子源的上阴极是一圆柱体，下阴极是一个带有圆孔的圆片，其制造材料是与引出金属离子同种的金属材料。这不仅可使离子源引出高熔点金属离子，还可以引出高束流的金属离子。这种改进的离子...

一种ＳＯＩ亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在ＳＯＩ的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后...

一种闪耀光栅外腔半导体激光器，包括：一激光器；一自聚焦透镜，该自聚焦透镜位于激光器的光路上；一压电陶瓷，该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上，在压电陶瓷的表面缠绕有光纤；一准直透镜，该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上；一...

一种光伏型ＩｎＡｓ量子点红外探测器结构，包括：一ＧａＡｓ衬底；一ＧａＡｓ底接触层制作在重掺杂或半绝缘ＧａＡｓ衬底上；一未掺杂的下ＧａＡｓ隔离层制作在ＧａＡｓ底接触层上面的一侧，在ＧａＡｓ底接触层的另一侧形成一台面；一５－１００个周期的Ｉ...

一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤１：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤２：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤３：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤４：将样品置于快速热退火炉里，...

一种带有声音提示功能的光功率计，包括：一带有声控芯片的光功率监测电路；一程控扬声器，该程控扬声器与带有声控芯片的光功率监测电路通过电路相连接，程控扬声器根据设定的程序和监测到的光功率大小的不同，发出不同的声音；一光电探测器，该光电探测器...

一种长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件，包括：一电极基座，该电极基座为圆形、椭圆或多边形；多个微针体，该微针体分为前端和下端，所述微针体呈一预定角度固定在电极基座上，呈螺旋状矩阵分布。该结构改变了原来直插式针状干电极结构，...

本发明公开了一种多层ＬＥＤ芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的ＧａＮ缓冲层；在ＧａＮ缓冲层上高温外延生长的ｎ型ＧａＮ；在ｎ型ＧａＮ上高温外延生长的ＡｌＧａＮ层；在ＡｌＧａＮ层上生长的３个周期的ＩｎＧ...

本发明公开了一种制备ＩｎＡｓ室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将ＩｎＡｓ单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的ＩｎＡｓ单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的Ｉｎ...

本发明公开了一种提高镁在ＩＩＩ－Ｖ族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的ｐ型ＩＩＩ－Ｖ族氮化物的表面蒸镀一层２ｎｍ至１０ｎｍ的金属钛，然后在Ｎ２气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在ｐ型ＩＩＩ－Ｖ族氮化物上的金属钛。利用本发明，使镁在...

本发明公开了一种提高镁在ＩＩＩ－Ｖ族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的ｐ型ＩＩＩ－Ｖ族氮化物的表面蒸镀一层２ｎｍ至１０ｎｍ的碲，然后在Ｎ２气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在ｐ型ＩＩＩ－Ｖ族氮化物上的碲。利用本发明，使镁在ＩＩＩ－...