【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成光电子领域，提供了一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法。
技术介绍
在光学领域，经常会遇到不同截面尺寸的光波导的光耦合问题，由于不同光波导截面尺寸的不一致，当大尺寸光波导的光耦合进小尺寸的光波导中时，或者当小尺寸光波 导的光耦合进大尺寸的光波导中时，都会造成很大的光损耗。 还有就是会遇到不同结构的光波导之间的耦合问题。脊型光波导的大体形状如 '凸'字形，隆起的中间区域为主要的导光区域，称为内脊区或脊型区，而脊型区的两旁是开 放延伸的，在其间传输的光很少，称为平板区。此结构的优点是大大放宽了光在其间传输的 单模条件，因此可以把波导尺寸做得适当大一些，这在一定程度上可以提高和光纤的耦合 效率。在做有源器件的时候，平板区还能成为掺杂区域，做上电极结构，所以脊型光波导应 用广泛。条形光波导，顾名思义，就是横截面为矩形的长条状的光波导。由于其工艺简单， 所以应用也相当广泛。并且倒锥耦合器用的就是条形光波导。当光传输到用于倒锥耦合器 的条形光波导的尖端时，光场会去局域化，从而光场会从条形光波导中溢出，形成大截面 的光场传输模式，这样就大...
【技术保护点】
一种ＳＯＩ亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括如下步骤：步骤１：在ＳＯＩ的顶层硅上氧化一层二氧化硅层，使二氧化硅层下面的ＳＯＩ的顶层硅能够有效地抵抗后续的氧化工艺；步骤２：通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形；步骤３：通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀深度到达二氧化硅层内，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；步骤４：去掉ＳＯＩ的顶层硅上在步骤３遗留下的掩膜图形，形成样品；步骤５：对上述的样品进行氧化，将在步骤３中被刻蚀过的二氧化硅层下面的ＳＯＩ的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成...
【技术特征摘要】
一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括如下步骤步骤1在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层，使二氧化硅层下面的SOI的顶层硅能够有效地抵抗后续的氧化工艺；步骤2通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形；步骤3通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀深度到达二氧化硅层内，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；步骤4去掉SOI的顶层硅上在步骤3遗留下的掩膜图形，形成样品；步骤5对上述的样品进行氧化，将在步骤3中被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈少武，程勇鹏，任光辉，樊中朝，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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