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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种多入多出正交频分复用系统的信道估计方法技术方案
本发明公开了一种多入多出空间复用系统的信道估计方法,该方法首先在频域中利用最小二乘估计方法得到初步的信道系数,通过傅立叶反变换将该初步的信道系数变换到时域,并引入信道冲激响应的有效抽头的概念,以信道冲激响应在循环前导范围之外的最大值作为...
宽光谱自组织量子点材料的生长方法技术
本发明涉及光电子材料技术领域,公开了一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上制作介质掩模图形;步骤2:在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。本发明是在衬底上制作宽...
NPN异质结双极型晶体管激光器制造技术
本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器,包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其...
用于电子束蒸发薄膜的样品夹具制造技术
本发明公开了一种用于电子束蒸发薄膜的样品夹具,包括:一挡片,该挡片主体为长方体,在该挡片的一侧面开有一凹槽,用以固定样品一边;该长方体挡片的正面两端各一螺纹孔,用以将挡片固定在样品托上;一样品托,该样品托具有一供挡片滑动的凹槽,且该样品...
p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法技术
本发明涉及无机光电技术领域,公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法,该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层Iny...
激光二极管的准直封装结构制造技术
一种激光二极管的准直封装结构,其特征在于,包括:一第一热沉,该第一热沉为矩形,该第一热沉的中间开有一横向通孔;一第二热沉,该第二热沉为矩形,该第二热沉的中间开有一横向通孔;一TO-3管壳,该TO-3管壳位于第一热沉的一侧,该第二热沉与第...
一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法技术
本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长;一InxGa1-xN材料模板,该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上;一纳米柱阵列...
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法技术
本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法,包括以下步骤:在衬底上生长氮化镓成核层;在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层;在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层;在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层;在氮化铝插入层上生长...
一种制备半导体固态白光光源的方法技术
本发明公开了一种制备半导体固态白光光源的方法,该方法包括:将激射波长位于蓝光的半导体激光器芯片烧结在热沉和基板上,并封装到管壳上;将荧光粉与固化剂混合,并在一定温度下固化在洁净的玻璃片上;利用半导体激光器光源激发固化后的荧光粉,使荧光粉...
一种制备微小化固态白光光源的方法技术
本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法,该方法包括:将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上,再将热沉烧结到散热基板上,再将散热基板固定在激光器管壳上;选用光纤棒作柱透镜,对激光器的快轴进行压缩,将压缩后的激光耦合进入光纤,靠近激光器一...
百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法技术
本发明公开了一种百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法,该方法包括:步骤1:将光刻胶按不同的配比进行稀释,在清洗干净的衬底上甩胶,得到厚度分别为80nm、120nm、160nm、200nm和260nm的光刻胶层;步骤2:采用...
一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法技术方案
本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法,该方法包括:用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片;对该外延片进行清洗,并对该外延片进行第一次光刻,光刻出单悬臂图形;采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延...
一种生长AlInN单晶外延膜的方法技术
本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法,包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温至生长温度,同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3,氮气N2和适量氢气...
一种制备高速电吸收调制器的方法技术
本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法,采用量子阱混杂方法,一次外延生长实现有源波导与无源波导集成,同时采用行波电极以进一步提高调制速率,具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
实现抗干扰大视场距离选通汽车夜视的方法技术
本发明公开了一种实现抗干扰大视场距离选通汽车夜视的方法,该方法基于时间切片技术及脉冲激光器的捷变频技术实现的,该脉冲激光器工作的频点处于伪随机变化的状态,满足一定脉冲间隔的脉冲激光从该脉冲激光器发出,并前向传播;夜视工作区被切分为n个工...
可编程门列阵中嵌入式可重构存储器制造技术
本发明公开了一种可编程门列阵中嵌入式可重构存储器,其特征在于,该存储器包括存储单元阵列、A端口外围电路、B端口外围电路,以及A端口外围电路与可编程门列阵芯片配置层之间的一个字线选择器和二个位线选择器;该存储单元阵列是双端口存储单元阵列,...
一种波长可调谐的光纤激光器制造技术
本发明公开了一种波长可调谐的光纤激光器,包括半导体激光器(1)、波分复用器(2)、应力调谐装置(3)、有源谐振腔(4)和光隔离器(5),其中,该半导体激光器(1)连接于波分复用器(2)的980端,泵浦光经波分复用器(2)的合波端进入有源...
一种制作波长可调的光纤光栅的方法技术
本发明公开了一种制作波长可调的光纤光栅的方法,包括:将紫外光经光阑进入一焦距可调的透镜组;调节该透镜组中各透镜的组合,得到具有不同发散角的会聚光束、发散光束或平行光束;将得到具有不同发散角会聚光束、发散光束或平行光束经相位掩模版照射在光...
一种复合膜片压力传感器结构制造技术
一种复合膜片压力传感器结构,包括:一单晶硅层,该单晶硅层的一面为凹型;一多孔硅层,该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。本发明在不影响低量程传感器灵敏度的前提下,采用多孔硅和单晶硅复合膜片,减小膜片的非线性形变,从而减小膜片挠度,最终达...
依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法技术
一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)以绝缘体上硅作为衬底;(b)在衬底上沿(110)晶向方向进行划片,作为曝光时的参考方向;(c)将衬底进行热氧化,生成二氧化硅掩膜层;(d)采用电子束曝光,生成平...
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