本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在ｎ型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长ｎ型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤２：在...

本发明涉及光子器件技术领域，公开了一种基于四波混频效应来提高工作速率的微环谐振腔结构全光逻辑与门。两束经过调制的泵浦光经过纳米线波导耦合进微环谐振腔并发生四波混频效应，产生新波长的卫星光。通过对卫星光的探测可以找出其与这两束泵浦光光功率...

本发明公开了一种制备ｎ型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Ｓｉ（００１）单晶作为衬底；用Ｂ靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该Ｂ靶上覆盖有一位置可调的Ｓｉ靶作为Ｓｉ掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积...

一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面...

一种ＩＩＩ－氮化物半导体材料ｐｎ结的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在一衬底上生长ｐ型ＧａＮ基材料；步骤２：在ｐ型ＧａＮ基材料上面外延非掺杂ＧａＮ基材料；步骤３：在非掺杂的ＧａＮ基材料上生长非掺杂薄层；步骤４：在非掺杂薄层上生长ｎ型Ｇａ...

本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上...

本发明公开了一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，该方法是在现有光路（２）中安装一光阑（１），进而提高光栅外腔激光器的光学质量，特别是减小光谱线宽。本发明提供的这种提高光栅外腔激光器光学质量、特别是减小光谱线宽的方法，简单、有效，具有较...

本发明公开了一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，该结构的中心区域为有源区，有源区周边为环绕光栅，环绕光栅为无源区。在该结构的有源区注以电流，使有源区产生超辐射光，作为无源区的环绕光栅将传播至环绕光栅下方的超辐射光耦合至该结构表面...

本发明公开了一种光纤保密通信装置及其数据加密方法。该装置由发射机和接收机通过光纤连接而成。发射机包括ＰＰＣ处理器单元、现场可编程门阵列测试板、光发射模块、光纤耦合器以及连接光纤；接收机包括波分复用器、连接光纤、光探测器、现场可编程门阵列...

一种气体传感气室，包括：一圆筒形气腔，其中间段镂空，在圆柱的壁面形成三个矩形开口；一前盖，该前盖为圆盘形状，该前盖盖合于圆柱套型气腔的一端；一后盖，该后盖为圆盘形状，该后盖盖合于圆筒形气腔的另一端。

本发明公开了一种数字化高精度相位检测器，包括模数转换模块（１０）、滤波器模块（２０）、相位差计算模块（３０）、相位修正模块（４０）和相位检测结果存储及显示模块（５０）。本发明提供的数字化高精度相位检测器，具有精度高、量程宽、频段宽、操作...

一种波长可调谐激光源，包括：一激光器驱动电流源和温控电路；一法布里－珀罗激光器，该法布里－珀罗激光器的输入端与激光器驱动电流源和温控电路的输出端连接；一光输出端连接偏振控制器，该光输出端连接偏振控制器的一端与法布里－珀罗激光器的输出端连...

一种制备大尺寸ＧａＮ自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤１：首先在衬底上生长一层ＺｎＯ膜；步骤２：在ＺｎＯ膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤３：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长ＧａＮ厚膜；步骤４：在氢化物气相外延系统中...

一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力ＧａＮ厚膜的方法，包括以下步骤：步骤１：在Ｃ面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤２：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的Ｃ面蓝宝石衬底上光刻出沿着［１１－２０］方向的条形二氧化硅或氮化硅掩...

本发明公开了一种低密度ＩｎＡｓ量子点的分子束外延生长方法，包括：将ＧａＡｓ衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将ＧａＡｓ衬底引入制备室，并对ＧａＡｓ衬底进行除气处理；将除过气的ＧａＡｓ衬底引入生长室，对ＧａＡｓ衬底的加热器...

一种制备图案化纳米模板的方法，包括以下步骤：步骤１：利用提拉法，在亲水性良好的平面衬底上组装ＰＳ球，得到单层有序的ＰＳ球薄膜；步骤２：利用氧等离子体刻蚀ＰＳ球，改变ＰＳ球的大小；步骤３：旋涂异丙醇稀释的ＴｉＯ２溶胶，静置待ＴｉＯ２溶胶固...

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材...

本发明提供一种金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法，包括如下步骤：步骤１：用溅射或者蒸发的方法在ｐ型氮化物样品表面沉积一层金属薄层；步骤２：对沉积金属薄层的ｐ型氮化物进行退火；步骤３：用酸溶液去除ｐ型氮化物样品表面的金属薄层；步骤...

本发明涉及有机光电器件技术领域，公开了一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构，该结构由下至上依次包括：透明衬底；沉积在该衬底上的阳极；沉积在该阳极上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的有机电子给体层；沉积在该有机电子给体层上的有机电子受...

本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在ＳＯＩ衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于ＳＯＩ衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依...