本发明公开了一种叠层有机电致发光器件，该器件包括：一透明阳极；一金属阴极；位于该透明阳极和该金属阴极中间的至少两个电致发光单元，每个电致发光单元至少包括一有机空穴传输层、一有机发光层和一有机电子传输层；位于两个电致发光单元中间的电荷产生...

一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在Ｎ型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一Ｎ型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉Ｎ型磷化铟衬底及Ｐ型缓冲层，形成复合片；刻蚀Ｐ型欧姆接触层、第一Ｐ型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；...

本发明公开了一种硅基光电器件集成方法，该方法包括：在硅衬底上制备电子学器件；在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层；在二氧化硅层上制备多晶硅；在多晶硅上制备硅光子学器件；刻蚀过孔，淀积金属实现电学互连。本发明提供的硅基光电器件集...

本发明公开了一种制备具有微反应池的生物芯片的方法，该方法包括：清洗衬底；制备掩膜板，在掩膜板上制备微反应池图形；涂光刻胶；光刻、显影、去胶；刻蚀衬底；芯片表面处理。本发明提供的这种制备具有微反应池的生物芯片的方法，工艺成熟，制作成本低，...

本发明涉及光互连技术领域，公开了一种全硅基材料光收发模块，包括光发射部分和光接收部分。光发射部分包括光调制器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一光波导、第二光波导和光调制器匹配网络。光接收部分包括光电探测器、第三光耦合器、第三光波导和光电...

本发明公开了一种应用于相变存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为相变存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上，采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用...

本发明涉及光互连技术领域，公开了一种全硅基材料多通道光收发模块，包括光发射部分和光接收部分，其中光发射部分包括多个光发射单元、波分复用器和第二光耦合器，每个光发射单元包括光调制器、光调制器匹配网络、第一光耦合器和第一光波导；光接收部分包...

本发明公开了一种制备薄膜材料的方法，包括：步骤１：将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中；步骤２：将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上，通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上；步骤３：将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方；步骤４：感光鼓...

本发明提供一种用于小型光纤传感器实验的高温高压密封装置，其特征在于，包括：一高压罐，为圆筒形或矩形，在高压罐的侧壁上开有一圆孔，该高压罐内有一光纤传感器；一密封盖，封盖住高压罐，在该密封盖的中心有一螺孔；一螺栓，该螺栓与密封盖上的螺孔配...

本发明公开了一种无约束手掌图像采集装置，该装置包括：一设备外壳，分为上部采集区，下部非透明区和底座；一照明光源；一采集用摄像头；一控制、存储用ＰＣ机；一单色背景幕。该硬件系统采集时对用户左右手类别，手掌放置位置与角度和手掌形状大小无限制...

本发明公开了一种应用于高自由度手掌图像中掌形提取和特征定位的方法，可适用于高自由度手掌图像中的掌形提取和特征定位，对掌形图像的左右手类别、放置位置与角度、手掌形状大小和手指张合度具有很好的适应性。该方法基于掌形修正重心极坐标下边缘点的距...

本发明公开了一种波长编码的光时域反射测试装置及其测量方法。装置包括光波长编码发生器、光纤分路装置、偏振控制器、光纤耦合器、光电探测器和拍频信号检测装置。光波长编码发生器产生的编码光脉冲信号从光纤分路装置的第一端口输入，分为探测光信号和参...

本发明公开了一种利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法，该方法包括：光从折射率为Ｎ的材料入射至折射率为ｎ１的传感物质时，测出在不同入射角时的反射率，得到反射数据与曲线，其中Ｎ＞ｎ１；对反射率求角度微分，得到反射率角度微分数据与曲线，...

本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属ＮＡＮＯＧＡＰ，该步工艺中的侧墙材料是光刻胶，然后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的...

本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属ＮＡＮＯＧＡＰ，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属...

本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格层、ＧａＡｓ量子阱层、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ层、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层（ｘ线性...

本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束...

本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属ＧＡＰ，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充在金属ＧＡＰ中。...

本发明公开了一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构，包括：一半导体光电子器件（ａ），固定于圆形底座上；一外套管（ｃ），该外套管（ｃ）的内径等于该圆形底座的外径，且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管（ｃ）的一端；一内套管（ｄ），从该外套管...

本发明公开了一种多入多出无线通信数据检测方法，包括：对信道系数矩阵实施ＱＲ分解，使之三角化；在每一层的数据检测过程中，通过计算部分欧式距离，在备选路径中，经过排序，选取最短的Ｋ条存活路径；在任何一层的数据检测过程中，引入最优分支和次优分...