能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构制造技术

技术编号:4176366 阅读:414 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,由以下部分组成:一N型层;一本征层,该本征层生长在N型层上;一P型层,该P型层生长在本征层上;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上;一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上;一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧;上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。

Organic inorganic composite device structure capable of realizing low frequency light to high frequency light conversion

To achieve a low frequency light to the organic-inorganic composite structure of high frequency light conversion device, consists of a N layer; an intrinsic layer, the intrinsic layer growth in N layer; a P layer, the P layer growth in the intrinsic layer; an organic hole injection the organic layer, a hole injection layer growth in P layer; an organic hole transport layer, the organic hole transport layer growth in organic hole injection layer; an organic light emitting layer, the organic light emitting layer growth in organic hole transport layer; a cathode side of the cathode electron transport layer in organic growth; a N type ohmic contact layer, an ohmic contact layer on one side of the back of the N type evaporation layer; the device can be in the external bias inorganic infrared low frequency infrared detection to the structure converted by the organic light emitting diode emits visible Light.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种有机一无机复合器件结构,具体涉及一种在无机光 探测结构上分子外延出一层有机发光二极管薄膜结构,可以在外界偏压的 作用下将探测到的低频红外光上转换成高频可见光发射,用于红外探测显 示。
技术介绍
对近红外波长区域的成像器件,尤其是被称为在视力无害区域(1.5u m左右)的成像在军事和商业领域正越来越受人关注。其红外成像应用于夜 视,掩蔽物侦察,山脉探测,半导体晶片检查等众多方面。目前对于红外探 测的成像集中在使用电荷耦合器件(CCD)把光学影像转化为数字信号,数字信号传输给计算机后借助于计算机的处理手段形成图像。这其中通过计 算机将光探测器结构与最终显示结构联系起来,过程较复杂。有机电致发光二极管(OLED)具有材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光、重量轻、工作温度范围宽和可制作在柔软衬底上等特点,能 够满足当今信息时代对显示技术更高性能和更大信息容量的要求,成为目 前科学界和产业界最热门的课题之一。由于有机电致发光二极管薄膜结构在无机衬底上也具有很好的成膜 性和较好的器件性能。所以在无机探测结构上直接外延出有机电致发光二 极管薄膜结构可以将无机探测器产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,所述的器件分为下层无机红外光探测结构和上层有机发光二极管结构,其特征在于,由以下部分组成: 一N型层; 一本征层,该本征层生长在N型层上; 一P型层,该P型层生长在本征 层上; 一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上; 一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上; 一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上; 一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;  一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧; 上述器件能够在外界偏...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李林森关敏曹国华曾一平李晋闽
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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