【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指氮化镓基垂直结构发光二极管新衬底金属 的腐蚀方法。
技术介绍
GaN基LED的器件结构，主要经历了正装结构、倒装结构，以及目前广为国际上重 视的垂直结构三个主要阶段。本质上讲，前两种器件结构——倒装结构、正装结构均没有摆 脱蓝宝石衬底对器件结构设计的束缚。2004年开始，垂直结构得到了人们的广泛关注，垂直 结构通过热压键合、激光剥离(LLO)等工艺，将GaN外延结构从蓝宝石转移到Cu、Si等具有 良好电、热传导特性的衬底材料上，器件电极上下垂直分布，从而彻底解决了正装、倒装结 构GaN基LED器件中因为电极平面分布、电流侧向注入导致的诸如散热，电流分布不均勻、 可靠性等一系列问题。因此，垂直结构也被称为是继正装、倒装之后的第三代GaN基LED器 件结构，很有可能取代现有的器件结构而成为GaN基LED技术主流。垂直结构相关研究涉及器件工艺与材料外延的相互配合，存在诸多技术难题。反 向漏电大、成品率低是垂直结构功率型LED研发过程中面临的主要瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀...
【技术保护点】
一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤１：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓ＬＥＤ层；步骤２：在氮化镓ＬＥＤ层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤３：减薄转移衬底，然后抛光；步骤４：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤５：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤６：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤７：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪炼成，郭恩卿，刘志强，伊晓燕，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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