一种ＬＥＤ芯片角度快速调校方法技术

一种ＬＥＤ芯片角度快速调校方法，主要包括：将芯片归入角度区间；获取角度区间旋转中心角度；选取第ｐ角度区间，并将芯片膜按照该角度区间旋转中心角度进行旋转，其中，ｐ＝１；将芯片ｍ按照其理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′ｍ，Ｙ′ｍ进行定位，并获取Ｘ′ｍ，Ｙ′ｍ与该芯片实际旋转后的实际位置间的偏差λｘ，λｙ；判断λｘ，λｙ是否大于某一阈值，若是，则根据λｘ，λｙ对Ｏｘ，Ｏｙ进行修正，并进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′ｍ，Ｙ′ｍ进行芯片位置校正；判断第ｐ角度区间中的芯片是否选取完，若是，则结束该角度区间芯片的角度调校；继续下一角度区间中芯片的角度调校。本发明专利技术能够提高芯片角度校正的准确性，同时能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度校正效率，从而提高芯片分选速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片分选
，特别是涉及一种LED芯片角度快速调校方法。
技术介绍
通常的，在LED芯片分选过程中由于芯片分选前的芯片膜在扩片时膜上粘结力及芯片间粘合力等会造成部分芯片产生偏转角度，该偏转角度是相对于机床标准坐标系的角度。然而LED芯片分选后要求将芯片按照类型，以方片的形式整齐排列于芯片膜上，只允许小角度的偏差以便于LED芯片的封装。如果芯片出现角度偏差，则需要通过角度校正来实现。但是由于任何一颗芯片的角度校正都需要转动整个芯片膜，这将导致芯片膜上其它所有芯片的位置都会随之发生改变，给后续芯片的精确定位带来很大困难。因此，在LED芯片分选过程中进行芯片角度校正，以确保芯片角度校正的准确性，提高芯片角度校正的效率，使得芯片能够整齐排列是LED芯片分选工艺中的一个难题。 因此，亟需提供一种既能够使芯片准确、快速地调校，同时又能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度调校效率，从而提高芯片的分选速度的LED芯片角度快速调校方法。
技术实现思路
基于现有技术的不足，本专利技术需要解决的问题是提供一种既能够使芯片准确、快速地调校，同时又能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度调校效率，从而提高芯片的分选速度的LED芯片角度快速调校方法。 为解决上述问题，本专利技术提供了一种LED芯片角度快速调校方法，其包括以下步骤 A、驱动图像识别系统对芯片膜进行识别，获取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi，其中，i＝1，2，3...n，n为所述芯片膜上芯片的总颗数； B、获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy； C、以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi、偏转角度θi及所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy，反算所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Y′i； D、在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将所述芯片i的偏转角度θi归入所述角度区间内，设所述角度区间的数量为s； E、获取s角度区间中的上限值和下限值，计算所述s角度区间中的上限值和下限值之间的中间值为该角度区间的旋转中心角度； F、判断所述s角度区间中是否存在旋转中心角度为0°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为0°的角度区间作为第p角度区间，其中，p＝1；否则，选取所述s角度区间中的其中一个角度区间作为第p角度区间，并将所述芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行实际旋转，其中，p＝1； G、选取所述第p角度区间中的芯片m，其中，m＝1，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为h； H、将所述第p角度区间中的芯片m以该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λx，λy； 其中，m为所述第p角度区间中所有芯片中的其中一颗芯片； I、判断所述步骤H中的偏差λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，再按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，″m，并按照修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m移动进行芯片位置校正； J、判断m是否等于h，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续步骤K；否则，m＝m+1，直接返回步骤H； K、继续判断p是否等于s，若是，则结束该芯片膜上全部芯片的角度调校；否则，将所述芯片膜旋转所述角度间隔值，且p＝p+1，直接返回步骤G。 其中，上述步骤B具体包括 B1、标定所述芯片膜上的其中一颗芯片为特定芯片； B2、驱动所述芯片膜旋转不同的角度，分别记录每次旋转时所述特定芯片的位置坐标，并将所述位置坐标存储至样本集，其中，所述样本集为相对于所述芯片膜的旋转中心的圆上坐标； B3、根据所述步骤B2中的样本集，利用最小二乘法计算所述芯片膜的拟合圆方程，从而获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy。 其中，上述步骤C具体包括 判断所述芯片i的偏转角度θi； 若θi为正，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×cos(θk-90°)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若θi为负，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第二象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第三象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk) 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk-90°)； 若θi为0°时，所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′为该芯片的原始位置坐标Xi，Yi； 继续步骤D； 其中，Ri为所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离，所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离Ri通过以下公式 进行计算。 其中，上述步骤I中根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正的步骤具体为 I0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ芯片角度快速调校方法，其特征在于，包括以下步骤：Ａ、驱动图像识别系统对芯片膜进行识别，获取所述芯片膜上芯片ｉ的原始位置坐标Ｘ↓［ｉ］，Ｙ↓［ｉ］及偏转角度θ↓［ｉ］，其中，ｉ＝１，２，３．．．ｎ，ｎ为所述芯片膜上芯片的总颗数；Ｂ、获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ｏ↓［ｘ］，Ｏ↓［ｙ］；Ｃ、以所述芯片膜上芯片ｉ的原始位置坐标Ｘ↓［ｉ］，Ｙ↓［ｉ］、偏转角度θ↓［ｉ］及所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ｏ↓［ｘ］，Ｏ↓［ｙ］，反算所述芯片ｉ理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′↓［ｉ］，Ｙ′↓［ｉ］；Ｄ、在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将所述芯片ｉ的偏转角度θ↓［ｉ］归入所述角度区间内，设所述角度区间的数量为ｓ；Ｅ、获取ｓ角度区间中的上限值和下限值，计算所述ｓ角度区间中的上限值和下限值之间的中间值为该角度区间的旋转中心角度；Ｆ、判断所述ｓ角度区间中是否存在旋转中心角度为０°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为０°的角度区间作为第ｐ角度区间，其中，ｐ＝１；否则，选取所述ｓ角度区间中的其中一个角度区间作为第ｐ角度区间，并将所述芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行实际旋转，其中，ｐ＝１；Ｇ、选取所述第ｐ角度区间中的芯片ｍ，其中，ｍ＝１，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为ｈ；Ｈ、将所述第ｐ角度区间中的芯片ｍ以该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′↓［ｍ］，Ｙ′↓［ｍ］进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′↓［ｍ］，Ｙ′↓［ｍ］与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λ↓［ｘ］，λ↓［ｙ］；其中，ｍ为所述第ｐ角度区间中所有芯片中的其中一颗芯片；Ｉ、判断所述步骤Ｈ中的偏差λ↓［ｘ］，λ↓［ｙ］是否大于某一阈值，若是，则根据所述偏差λ↓［ｘ］，λ↓［ｙ］对所述步骤Ｂ中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ｏ↓［ｘ］，Ｏ↓［ｙ］进行修正，再按照修正后的旋转中心的位置坐标Ｏ′↓［ｘ］，Ｏ′↓［ｙ］，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ″↓［ｍ］，Ｙ″↓［ｍ］，并按照修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ″↓［ｍ］，Ｙ″↓［ｍ］移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标Ｘ′↓［ｍ］，Ｙ′↓［ｍ］移动进行芯片位置校正；Ｊ、判断ｍ是否等于ｈ，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续步骤Ｋ；否则，ｍ＝ｍ＋１，直接返回步骤Ｈ；Ｋ、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，吴涛，黄禹，李海洲，龚时华，王龙文，林康华，李文杰，
申请(专利权)人：东莞华中科技大学制造工程研究院，东莞市华科制造工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]