【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种适用于高效率氮化物LED外延生长 的纳米级图形衬底的制备方法。
技术介绍
由于氮化物基LED具有节能、寿命长、体积小、低电压和环保等优点，它将引发照 明产业的革命。如同半导体晶体管替代电子管一样，在若干年后，LED作为新光源的固态照 明灯，将有机会逐渐取代传统的照明灯而进入每一个角落。目前，氮化物基LED材料主要异质外延生长在蓝宝石、硅、碳化硅等衬底上，主要 存在以下两个技术问题。第一，衬底材料和外延层之间存在很大的晶格失配和热膨胀系数 差异，所以在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)或分子束外延 (MBE)等技术生长的氮化物外延层中，存在很大的应力和较多的缺陷，导致材料质量差、器 件的内量子效率低。第二，氮化物外延材料的折射率与空气的折射率相差很大，光的出射角 很小，绝大部分光被全反射回LED器件内部，导致器件的外量子效率低。采用图形衬底技术一方面可以减小由于晶格失配导致的应力，降低氮化物外延层 中的位错密度，提高LED的内量子效率。另一方面，图形衬底可以通过斜面反射改变光的传 播方向，...
【技术保护点】
一种适用于氮化物ＬＥＤ外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤１：准备并清洗衬底；步骤２：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤３：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤４：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤５：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。
【技术特征摘要】
一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤1准备并清洗衬底；步骤2对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。2.根据权利要求1所述的适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法， 其特征在于，步骤1中所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底或氮化铝衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙莉莉，闫建昌，王军喜，刘乃鑫，魏同波，魏学成，马平，刘喆，曾一平，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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