电学测试的汞探针装置制造方法及图纸

一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的电学测试领域，特别是一种采用汞探针测试 的装置。
技术介绍
半导体材料的导电性能与杂质、温度、晶体缺陷等密切相关。以杂质为例，如果在105个硅原子中掺入一个硼原子，就可以使纯硅的导电性能 增加103倍，因此杂质对半导体电学性能具有很大的影响。制作不同半导 体器件时，对材料的要求也是不同的。为了满足各种器件的需要，必需对 材料电学参数进行测试，这些参数一般为电阻率、载流子浓度、导电类型、 迁移率、寿命及载流子浓度分布等。在进行电学测试时要使半导体材料与 某种金属电极接触，然后从金属电极上引出导线连接到相应的电学测试设 备进行测试。通常制作金属电极都会对半导体材料本身产生一定的损伤而 且测试完毕后金属电极材料不易被除去(如蒸镀)，这会导致在进行必要 的电学测试后半导体材料无法满足器件制作的要求。由于金属汞在室温下 是液态，只需与待测试的材料接触即可形成金属电极，所以采用金属汞作 为金属电极材料可以对被测半导体材料进行无损伤的电学测试。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种电学测试的汞探针装置，其可以对被测半导体材料进行无损伤的电学测试。本专利技术提供一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括.-一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左3侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与 左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通； 与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、 右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。其中还包括一压片夹，该压片夹的一端是可移动的固接在基座的上表 面，用以固定待测试的材料。其中还包括一左水银管，该左水银管位于左水银通道的上面，与左水 银通道连通； 一右水银管，该右水银管位于右水银通道的上面，与右水银通道连通o其中所述的细水银槽的直径为300微米一500微米。 附图说明为进一步说明本专利技术的具体
技术实现思路
，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中图1是本专利技术电学测试的汞探针装置的主视剖面示意图。 图2是本专利技术电学测试的汞探针装置的俯视示意图。具体实施例方式请参阅图l所示，本专利技术一种电学测试的汞探针装置，其特征在于， 包括一基座2，该基座2为扁平状的圆柱体，根据待测试的材料100的形 状和大小，该基座2也可以制作成长方体或其他形状，本实施例为圆柱体； 在基座2的中心处开有一细水银槽6，该细水银槽6的直径为300微米一 500微米，在基座2的中心处纵向细水银槽6的周围开有圆环形的水银槽 5，使得细水银槽6在基座2上表面的面积远小于圆环形水银槽5在基座2 上表面的面积，确保细水银槽6中的水银与待测试的材料100形成肖特基 接触，圆环形水银槽5中的水银与待测试的材料100形成欧姆接触，保证 测试结果的准确性；在基座2的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽4，该左水银槽4与圆环形的水银槽5连通；与左水银槽4相对的位置开有一右水银槽7，该右水银槽7与细水银槽6垂直连通；与左、右水银槽4、 7 垂直，在基座2的上面分别开有一与左、右水银槽4、 7连通的左、右水 银通道41、 71;其中还包括一左水银管1，该左水银管1位于左水银通道41的上面， 与左水银通道41连通； 一右水银管9，该右水银管9位于右水银通道71 的上面，与右水银通道71连通，左、右水银管l、 9要有足够的高度，确 保水银被推入时不会从管内溢出；为了保证水银被推入时与待测试的材料 100能够紧密接触，可以在测试前多次推入水银并记录达到紧密接触时水 银在左、右水银管1、 9内的高度，在正式测试时只需把水银推入到记录 的高度即可，节省了测试时间；上述的左水银管1、左水银槽4、左水银通道41、圆环形的水银槽5 和右水银管9、右水银槽7、右水银通道71、细水银槽6分别构成了两套互不交叉的水银流动系统。一左推杆3，该左推杆3的一端插入在左水银槽4内； 一右推杆8， 该右推杆8的一端插入在右水银槽7内，通过左、右推入杆3、 8分别控 制水银在两套水银流动系统中的进出，使水银在被推入时与待测试的材料 100形成紧密接触，保证测试的正确性；在测试时分别从该左、右推入杆 3、 8引出两根导线连接到相应的电学测试设备的正负极，推入杆的材料应 为金属材料，能够传导测试时的电信号。其中还包括一压片夹10，该压片夹10是可移动的固接在基座2的上 表面，用以固定待测试的材料100，使得在测试时水银被推入后不会从圆 环形的水银槽5或细水银槽6中溢出，而且该压片夹10与圆环形的水银 槽5和细水银槽6要有适当的距离，确保不影响待测试的材料100的放置。上述所揭露的佳实施范例是以文字叙述其架构并辅以图标说明，然并 非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者当可于未偏离 本专利技术的精神及范畴下进行各种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围 当视权利要求所界定的为准。权利要求1.一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。2. 如权利要求1所述的电学测的试汞探针装置，其特征在于，其中还 包括一压片夹，该压片夹的一端是可移动的固接在基座的上表面，用以固 定待测试的材料。3. 如权利要求1所述的电学测的试汞探针装置，其特征在于，其中还 包括一左水银管，该左水银管位于左水银通道的上面，与左水银通道连通; 一右水银管，该右水银管位于右水银通道的上面，与右水银通道连通。4. 如权利要求1所述的电学测试的汞探针装置，其特征在于，其中所 述的细水银槽的直径为300微米一500微米。全文摘要一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。文档编号G01N27/20GK101644691SQ20081011801公开日2010年2月10日 申请日期2008年8月6日 优先权日2008年8月6日专利技术者刘兴昉, 孙国胜, 瑾 宁, 曾一平, 李晋闽, 雷 王, 刚 纪, 赵万顺, 赵永梅 申请人:中国科学院半导体研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：　一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水 银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；　一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；　一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：纪刚，孙国胜，宁瑾，刘兴昉，赵永梅，王雷，赵万顺，曾一平，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[]