用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法技术

一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，包括如下步骤：１：取一铝片，清洗和抛光；２：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；３：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；４：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第二次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；５：将多孔氧化铝膜和铝片剥离开；６：将多孔氧化铝薄膜反向贴在一半导体材料衬底上并烘干；７：在退火炉中进行退火，改善膜的平整度；８：在磷酸溶液中通孔，使孔双向贯通；９：以多孔氧化铝膜作为掩模，干法刻蚀半导体材料；１０：在氢氧化钠溶液中溶解掉氧化铝膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，涉及一种。背旦 豕技术阳极氧化铝膜是采用电化学技术在酸性电解质中对铝片阳极氧化制备而成的，最早可以追溯到1 9 53年美国铝研究实验室的F. Keller等人的工作。早期氧化铝膜的应用主要集中在铝的抗腐蚀性、抗磨损、绝缘性及表面装饰等方面，相应的研究体系主要是致密型氧化铝膜和无序多孔型氧化铝膜。到9 0年代以后，准维纳米材料研究逐渐兴起，多孔氧化铝模板的特性正好符合了 一维纳米体系的要求，它的研究出现了飞猛进的发展。现在，多孔氧化铝膜己成为合成介观结构材料的 一 种重要模板材料。人们在以多孔氧化铝膜为模板合成各种介观阵列体系时，总是渴望6得到尽可能大面积的、孔洞规.排列的多孔氧化,吕膜。在此方面，曰本的HM a s u d a小'组.做出了具有重大思义的工作1995年，他们在次阳极氧化的基础上，采用一次阳极氧化的方法，制备了有序性极咼的氧化铝单面和双面通孔模板，之后他们又采用压模的方法制备了几乎兀美无缺的六角形孔的氧化铝模板目.、/ -刖，阳极氧化铝模板的制备己经成为一项非常成熟的技术，可以制备出厚度3 00纳米至U 30微米，孔径20纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，包括如下步骤：　步骤１：取一铝片，清洗和抛光；　步骤２：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；　步骤３：将第一次阳极氧化形成的多孔氧 化铝膜溶解掉；　步骤４：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第二次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；　步骤５：将多孔氧化铝膜和铝片剥离开；　步骤６：将多孔氧化铝薄膜反向贴在一半导体材料衬底上并烘干；　步骤７：在退火炉中进行退火，改 善膜的平整度；　步骤８：在磷酸溶液中通孔，使孔双向贯通；　步骤９：以多孔氧化铝...

【技术特征摘要】
1. 一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1取一铝片，清洗和抛光；步骤2利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；步骤3将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；步骤4利用阳极氧化铝的方法在铝片上第二次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；步骤5将多孔氧化铝膜和铝片剥离开；步骤6将多孔氧化铝薄膜反向贴在一半导体材料衬底上并烘干；步骤7在退火炉中进行退火，改善膜的平整度；步骤8在磷酸溶液中通孔，使孔双向贯通；步骤9以多孔氧化铝膜作为掩模，干法刻蚀半导体材料；步骤10在氢氧化钠溶液中溶解掉氧化铝膜。2 根据权利要求1所述的用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于苴 z 、中所述的铝片清洗，是先用丙酮浸泡1 - 5个小时，随后用质量分数为4 - 6 %的氢氧化钠溶液在60摄氏度下浸泡6 0 - 9 0秒，用去离子水冲洗后，再将铝片浸泡到30 0 - 4 0 0克/升的硝酸溶液中3 - 5分钟，用去离子水冲洗。3. 根据权利要求1所述的用多孔氧化铝模板实 现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，其中所述的铝片厚度为1 0 0 - 5 0 0微米，纯度为9 9 . 9 9%。4.根据权利要求1所述的用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，其中所述的铝片抛光，是在o-1 o摄氏度下，以体积比为1:4的高氯酸和乙醇的混合液为抛光液进行抛光。5.根据权利要求1所述的用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，其中所述的第一次氧化过程为:电解液为25摄氏度的质且 里分数为4 %的草酸溶液，铝片为阳极，铂片为阴极，40伏直流电，通电时间2小时。6.根据权利要求1所述的用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪，白安琪，薛春来，成步文，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]