氮化镓基光电导开关及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓基光电导开关及其制备方法，氮化镓基光电导开关包括衬底，高阻层位于衬底上，低阻层位于高阻层上，低阻层包括间隔设置的两个低阻单元；欧姆接触层位于低阻层上，欧姆接触层包括间隔设置的两个欧姆电极，两个欧姆电极与两个低阻单元一一对应设置；高通层位于高阻层上，且位于两个低阻单元之间；高耐压层位于高阻层上，高耐压层包括至少一个高耐压单元，高耐压单元位于低阻单元和高通层之间，且靠近低阻单元设置；钝化层覆盖于两个欧姆电极相对的侧面、低阻层、高耐压层、高通层以及高阻层。本发明专利技术的氮化镓基光电导开关，高通层有利于增加光电流，高耐压单元有利于提升击穿电压，有效提升了氮化镓基光电导开关的使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种氮化镓基光电导开关及其制备方法。

技术介绍

1、半导体光电导开关是一种利用光激发半导体，产生光生载流子，将暗态时的高阻区变为导电区，实现利用光控制电能量传输的器件，广泛的运用在光电转换系统、微波及太赫兹脉冲源以及高压大电流的功率开关设备等领域。gan是第三代宽带隙半导体材料，采用深能级掺杂可以形成半绝缘gan材料，拥有高压、大功率的工作能力，采用gan材料制备的器件能够在强辐射、高温度的恶劣环境中稳定工作。

2、为了提高gan光电导开关的性能，提高光电流和击穿电压是需要解决的难题。当器件导通时，光电流大小与入射激光波长和能量，以及光电转换效率相关，增强光吸收或提高器件在激光照射下产生自由载流子的浓度，降低通态电阻，可以提高器件的光电流。通常情况，在光电导开关器件表面制备增透膜以及背面制备反射膜，可以增加器件的光吸收效率，提高光电流，但这种方式对膜的厚度均匀性和绝缘性要求较高，且工艺步骤复杂。利用光电导开关的高增益模式也可以提高器件的光电流，但要求器件的工作电场强度较高，器件容易损坏。对于器件的击穿特性而言，增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓基光电导开关，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，

4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，所述低阻层为n型GaN层或AlGaN/GaN异质结构层，所述低阻层的厚度为30～300nm。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，所述高阻层为GaN高阻层，所述高阻层的电阻率为107～1013Ω·cm，所述高阻层的厚度为0.1～4μm。

6.根据权利要求4所述的氮化镓基光电导开关，其...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓基光电导开关，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，

4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，所述低阻层为n型gan层或algan/gan异质结构层，所述低阻层的厚度为30～300nm。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基光电导开关，其特征在于，所述高阻层为gan高阻层，所述高阻层的电阻率为107～1013ω·cm，所述高阻层的厚度为0.1～4μm。

6.根据权利要求4所述的氮化镓基光电导开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜丽娟，蔡平，肖红领，冯春，徐健凯，周淼，王茜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：