一种制备用于太阳能电池窗口层的ＣｄＳ薄膜的方法技术

本发明专利技术薄膜太阳能电池制备技术领域，公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的ＣｄＳ薄膜的方法，包括以下步骤：步骤１：利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤２：将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中，沉积透明电极层；步骤３：将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗；步骤４：将清洗干净的基片放入生长设备中，生长ＣｄＳ薄膜，完成太阳能电池ＣｄＳ窗口层的制备。利用本发明专利技术，提高了器件的性能，可以利用该ＣｄＳ薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件，使ＣｄＳ薄膜中杂质浓度降低，增强了ＣｄＳ薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜太阳能电池制备
，具体涉及到一种制备用于太阳能电池 窗口层的CdS薄膜的方法，特别是用于CdS/CdTe和CdS/CIGS结构太阳电池。
技术介绍
近年来，国际能源短缺和环境污染的日趋严峻为各种新能源技术带来巨大机遇。 太阳能电池以其取之不尽和零污染的特性在各类新能源技术中脱颖而出，并且有了飞速的 发展。目前来讲，薄膜太阳能电池已经成为了发展趋势的主流。在薄膜太阳能电池中，CdTe 薄膜电池的理论转换率高达28%，而且制作成本较低，从而吸引了业界的广泛关注。 目前，产业化生产的太阳能电池实际转换效率受窗口层材料-一CdS薄膜的质量 影响很大。CdS是一种重要的半导体材料，禁带宽度约为2. 42eV，由于其能允许绝大部分的 可见光透过而被广泛用作薄膜太阳能电池的窗口材料。所以，CdS薄膜质量的好坏对太阳 能电池的性能及转换效率影响巨大，其结晶状态、表面形貌和厚度都是要考虑的重要因素。 当前，人们已经发展了一些CdS薄膜的制备方法，如化学水浴沉积法，这种工艺 所生长的薄膜不够结实，很容易在外界环境的影响下脱落。另外一种方法如近空间升华 法，但是这种方法生长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备用于太阳能电池窗口层的ＣｄＳ薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１：利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤２：将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中，沉积透明电极层；步骤３：将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗；步骤４：将清洗干净的基片放入生长设备中，生长ＣｄＳ薄膜，完成太阳能电池ＣｄＳ窗口层的制备。

【技术特征摘要】
一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中，沉积透明电极层；步骤3将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗；步骤4将清洗干净的基片放入生长设备中，生长CdS薄膜，完成太阳能电池CdS窗口层的制备。2. 根据权利要求l所述的制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法，其特征在于， 步骤1中所述化学洗剂包括丙酮、乙醇和三氯乙烯。3. 根据权利要求l所述的制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法，其特征在于， 步骤2中所述透明电极层包括IT0和Sn02:F。4. 根据权利要求l所述的制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，朱峰，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]