【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光伏器件
，尤其涉及一种基于刻蚀技术的SIS(semico ηductor-insulator-semiconductor)结太阳會邑电池。
技术介绍
太阳能电池可以直接将太阳光能转变成电能，解决目前全球面临的能源危机，因此构造低成本、高效率的太阳能电池成为国内外光伏行业的研究重点。目前具有单个或多个PN结结构的半导体太阳能电池已经广泛应用航天、军事、卫星、景观照明和家庭用电等
太阳能电池利用了材料的光伏特效应，即器件暴露在光线下时产生电压的现象。 目前常用的太阳能电池多由半导体材料制成，采用PN结结构或肖特基势垒结构，该肖特基势垒结构包括金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor，MIS)结和SIS结电池结构。单个PN结结构可以实现较高的转换效率，但电池制作工艺复杂，成本较高；肖特基势垒太阳能电池制作工艺简单，但转换效率较低，应用范围较小。因此，构造一种工艺简单的新结构高效太阳能电池是其能够被广泛应用的关键。肖特基势垒太阳能电池因为其简单的工艺，一直被人们所研究，近几年SIS 电池成为研究...
【技术保护点】
１．一种基于刻蚀技术的ＳＩＳ结太阳能电池，其特征在于，包括：一下电极（１０）；一光吸收材料层（２０），该光吸收材料层（２０）制作在下电极（１０）上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层（２０）上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层（３０），该氧化物绝缘层（３０）通过化学方法氧化光吸收材料层（２０）形成；一ＴＣＯ薄膜层（４０），该ＴＣＯ薄膜层（４０）沉积在氧化物绝缘层（３０）上；一上图形电极（５０），该上图形电极（５０）制作在ＴＣＯ薄膜层（４０）上；以及一纳米颗粒（６０），该纳米颗粒（６０）放置在ＴＣＯ薄膜层（４０）上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马绍栋，付非亚，王宇飞，王海玲，彭红玲，郑婉华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
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