一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元制造技术

本发明专利技术公开了一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其能够有效提高SRAM单元抗单粒子翻转的能力，明显提高SRAM的翻转阈值。该SRAM单元为十四管存储单元，包括两个存取NMOS管，两个分别由六个MOS管组成的反相器。与组成最基本的六管单元中的反相器不同，本发明专利技术的反相器结构由两个NMOS晶体管作为驱动晶体管，两个PMOS晶体管作为负载晶体管，一个由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管组成的传输门调整电平。这种结构实现了存储单元的抗单粒子翻转，且结构相对简单，容易在抗辐射SRAM芯片设计中实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静态随机存储器(SRAM)
，更具体地，涉及一种具有抗单粒子 翻转效应的CMOS SRAM单元。
技术介绍
按照数据存储方式，半导体存储器分为动态随机存取存储器(DRAM)，非挥发性存 储器和静态随机存取存储器(SRAM)。SRAM能够以一种简单而且低功耗的方式实现快速的 操作速度，因而建立起其独特的优势。而且，与DRAM相比，因为SRAM不需要周期性刷新存 储的信息，所以设计和制造相对容易。通常，SRAM单元由两个驱动晶体管、两个负载器件和两个存取晶体管组成。根 据所含负载器件的类型，SRAM本身又可以分为完全CM0SSRAM，高负载电阻(High Load Resistor) SRAM 和薄膜晶体管(Thin FilmTransistor) SRAM。完全 CMOS SRAM 使用 PMOS 管 作为负载器件，HLRSRAM使用高负载电阻作为负载器件，而TFT SRAM使用多晶硅TFT作为 负载器件。一个传统的完全CMOS SRAM的电路在图1中示出。如图1所示，第一反相器INVl 和第二反相器INV2构成锁存器，INVl和INV2分别受存取晶体管TAl和T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于，包括第一反相器（ＩＮＶ１）、第二反相器（ＩＮＶ２）、第一ＮＭＯＳ传输门（６１３）、第二ＮＭＯＳ传输门（６１４），其中：第一反相器（ＩＮＶ１）的输出端（Ａ）接第一ＮＭＯＳ传输门（６１３），第二反相器（ＩＮＶ２）的输出端（Ｂ）接第二ＮＭＯＳ传输门（６１４），第一ＮＭＯＳ传输门（６１３）的栅与第二ＮＭＯＳ传输门（６１４）的栅接ＷＬ，第一ＮＭＯＳ传输门（６１３）对应单元输出ＢＬ，第二ＮＭＯＳ传输门（６１４）对应单元输出ＤＢＬ，第一反相器（ＩＮＶ１）的输出端（Ａ）接第二反相器（ＩＮＶ２）的输入端，第二反相器（ＩＮＶ２）输出端（Ｂ）接第一反相器（ＩＮＶ１）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李振涛，乔宁，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11