温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其能够有效提高SRAM单元抗单粒子翻转的能力，明显提高SRAM的翻转阈值。该SRAM单元为十四管存储单元，包括两个存取NMOS管，两个分别由六个MOS管组成的反相器。与组成最基本的六管单元中...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。