一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法，采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜，实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明专利技术采用斜三角形吸收区的波导形式，它的三条边与对应腔面之间均保持一定的夹角，可以有效提高光透射率；另外，斜腔的结构也可以有效抑制受激振荡，减少腔面的光反馈。在膜系设计上，两层膜系结构的低反射率光谱区带宽、膜料的折射率偏差和厚度偏差对膜系剩余反射率的影响程度均好于三层膜系对称结构，且工艺制备时的允差较大，有利于实现精确监控。本发明专利技术提供的制作低波纹系数的半导体超辐射发光二极管方法，工艺相对简单，实现成本较低，具有工艺合理性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体超辐射发光二极管
，特别是指一种低波纹系数半导体 超辐射发光二极管的制备方法。
技术介绍
超辐射发光二极管是一种光学性能介于发光二极管和激光器之间的半导体发光 器件，它的主要特点是既具布激光器尾纤输出功率高的优点，义具有发光二极管光谱宽和 波纹系数小的优点，基于它的这些特殊光学性质，可以广泛应用在国防上有重要意义的光 纤陀螺技术中，成为下一代精确惯性制导的核心元器件。为了进一步提高光纤陀螺的信噪比，中高精度光纤陀螺通常选择高的尾纤输出功 率、低波纹系数和宽光谱宽度的超辐射发光二极管来作光源。因此，要实现以上高性能的 超辐射发光二极管的要求，外延器件结构必须具备实现高性能的半导体激光器性能，在高 性能的外延半导体器件结构的基础上，通过最大限度抑制器件腔面反射来实现超辐射的性 能，而超辐射发光二极管的波纹系数大小是衡量这种抑制效果的技术指标。为抑制器件的激射，减少器件的波纹系数，很容易想到的直观办法是在半导体激 光器的腔面蒸镀高透过率的增透膜。经验表明，要实现波纹系数小于等于0. 2dB的较高技 术指标，该种增透膜的剩余反射率应在0. 001 %以下。制备这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法，其特征在于，该方法采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜，实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备，具体包括：在ＩｎＰ衬底上外延生长器件的有源结构；在有源结构上淀积生长一层二氧化硅；在该二氧化硅上光刻并腐蚀出增益区＋斜三角形吸收区的波导图形，再通过湿法腐蚀技术实现该波导结构；在该波导结构上依次淀积生长Ｐ－ＩｎＰ和Ｎ－ＩｎＰ电流限制层，直至其台面与波导结构的台面平齐，并腐蚀掉该波导结构上的二氧化硅；淀积生长高掺杂的欧姆接触层，在欧姆接触层上淀积生长一层二氧化硅掩膜，然后制备吸收区；采用物理气相淀积的方法，实现特殊金...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭满清，焦健，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11